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飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。兼容协议旨在保证供货稳定性，
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GaN功率半导体市场将迅速增长，2013年市场规模达1.8亿
美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSupp
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集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻
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集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻
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理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
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如何为电路设计选择适合的IGBT
什么是IGBT？其工作原理是什么？为什么大家要选择IGBT？它的优势是什么？一系列疑问的抛出，在3月5日第十五届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China2010)上，国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)公司给出
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开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的
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开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的
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开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的
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具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器(TI)
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器，其与业界标准的驱动器相比，可将板级空间与组件数锐减 80%。UCD7242 使设计人员能在小型封装中获得采用
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12款新N沟道功率MOSFET系列(安森美半导体)
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市
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12款新N沟道功率MOSFET系列(安森美半导体)
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市
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汽车用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度
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显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸
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显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸
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汽车用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度
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汽车用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度
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显著降低上表面热阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺
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显著降低上表面热阻的功率MOSFET (TI)
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面向隔离DC-DC转换器的低损耗功率MOSFET (瑞萨科技)
瑞萨科技公司（以下简称瑞萨）推出12款第10代、面向服务器、通信设备和工业设备等应用领域内电源中使用的隔离DC-DC转换器*1的功率MOSFET产品。新型功率MOSFET在降低开关损耗*2、提高能效的同时，还具有很宽的电压容差
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