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面向小型汽车电子单元的功率MOSFET（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。新产品主要面向汽车电子控制单元（如引擎控制单元和泵电机控制单元）的应用，采
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面向小型汽车电子单元的功率MOSFET（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。新产品主要面向汽车电子控制单元（如引擎控制单元和泵电机控制单元）的应用，采
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三款新型500V N沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48
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新款ThunderFET™功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
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新款ThunderFET™功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
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全新HEXFET功率MOSFET产品（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
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全新HEXFET功率MOSFET产品（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
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全新HEXFET功率MOSFET产品（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
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电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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高频特性得到改善的功率MOSFET放大器
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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高频特性得到改善的功率MOSFET放大器
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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基于功率MOSFET设计考量
用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
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基于功率MOSFET设计考量
用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
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飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)和英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布，两家公司就采用MLP3x3(Power33™)和PowerStage3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满
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飞兆和英飞凌达成功率MOSFET兼容协议
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。 兼容协议旨在保证供货稳定性，同时
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飞兆和英飞凌就功率MOSFET兼容达成协议
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。 兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满
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英飞凌与飞兆对功率MOSFET用封装实行通用化
德国英飞凌科技与美国飞兆半导体宣布，双方就功率MOSFET用封装达成合作伙伴协议。 合作的封装是英飞凌的“PowerStage 3x3”及飞兆的“MLP 3x3（Power33）”。据称，此次合作旨在避免该封装供货上的风险，该封装集
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以LFPAK为封装全系列汽车功率MOSFET系列产品 (NXP)
恩智浦半导体近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化
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以LFPAK为封装全系列汽车功率MOSFET系列产品 (NXP)
恩智浦半导体近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化
