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植入式医疗应用的功率MOSFET系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将为业内首个用于植入式医疗应用的功率MOSFET系列增添两款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。这些MOSFET采用强化的工艺流程制造，对制造工艺进行了严格控制。今天发布的器
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植入式医疗应用的功率MOSFET系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将为业内首个用于植入式医疗应用的功率MOSFET系列增添两款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。这些MOSFET采用强化的工艺流程制造，对制造工艺进行了严格控制。今天发布的器
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硅功率MOSFET在电源转换领域的应用
功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比，这些多数载流子器件速度更快、更坚固，并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换技术得以真正商用化。早期台式电脑的AC/DC开关电
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硅功率MOSFET在电源转换领域的应用
功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比，这些多数载流子器件速度更快、更坚固，并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换技术得以真正商用化。早期台式电脑的AC/DC开关电
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本土IC公司推出新款600V MOSFET产品
功率MOSFET市场为欧美IDM半导体厂商所掌控，诸如Vishay、TI、凌力尔特在电源管理应用市场，而飞兆、英飞凌等公司的高压MOSFET广泛应用于工业、汽车等市场。甚至，随着高压功率器件市场的快速增长，几年前IR也开始不断
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IR车用DirectFET2功率MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier，简称IR)宣布针对开关应用，推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET2 功率 MOSFET ，这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统
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3款新型功率MOSFET产品（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET（金属氧化物半导体晶体管）产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器
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3款新型功率MOSFET产品（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET（金属氧化物半导体晶体管）产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器
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车用DirectFET2 功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)宣布针对开关应用，推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统、高强度气体放电灯 (HID) 照明
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车用DirectFET2 功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)宣布针对开关应用，推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统、高强度气体放电灯 (HID) 照明
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车用DirectFET2 功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)宣布针对开关应用，推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统、高强度气体放电灯 (HID) 照明
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2款功率半导体器件（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社日前宣布推出2款功率半导体器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新产品采用超小型封装，主要面向服务器与笔记本电脑的CPU，以及存储器等产品的DC/DC转换器（注释1），并将于2010年8月起在日本
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2款功率半导体器件（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社日前宣布推出2款功率半导体器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新产品采用超小型封装，主要面向服务器与笔记本电脑的CPU，以及存储器等产品的DC/DC转换器（注释1），并将于2010年8月起在日本
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基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制
采用功率MOSFET及其驱动器和光纤收发器件，研究了激光触发开关脉冲功率源控制技术中的快上升沿(≤5 ns)触发信号产生、驱动、传输及光纤隔离、高耐压脉冲变压器使用等关键技术。给出了激光器外触发控制电路的设计及测试结果，并对其应用特点进行了分析和讨论。
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基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制
采用功率MOSFET及其驱动器和光纤收发器件，研究了激光触发开关脉冲功率源控制技术中的快上升沿(≤5 ns)触发信号产生、驱动、传输及光纤隔离、高耐压脉冲变压器使用等关键技术。给出了激光器外触发控制电路的设计及测试结果，并对其应用特点进行了分析和讨论。
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电源管理市场大增 新能源市场将拉动5年成长
据iSuppli公司，由于在商业与工业领域的增长势头喜人，电源管理半导体2010年将取得骄人增长，随后几年将望尖莫及。包括集成电路和分立器件在内，电源管理半导体2010年销售额将达到314亿美元，比2009年的224亿美元大增
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面积最小厚度最薄的N沟道芯片级功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET ---Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减
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电源管理半导体今年增长势头突出
据iSuppli公司，由于在商业与工业领域的增长势头喜人，电源管理半导体2010年将取得骄人增长，随后几年将望尖莫及。 包括集成电路和分立器件在内，电源管理半导体2010年销售额将达到314亿美元，比2009年的224亿美
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N沟道芯片级功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度
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全新HEXFET®功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以
