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采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导
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新款单输出、降压控制器（研诺）
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新款单输出、降压控制器（研诺）
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全新OptiMOS 3系列功率MOSFET器件（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。
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全新OptiMOS 3系列功率MOSFET器件（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。
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新型功率MOSFET和IGBT驱动器器件（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。
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新型功率MOSFET和IGBT驱动器器件（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。
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新型P沟道功率MOSFET产品（NEC电子）
NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。
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微欧功率MOSFET晶体管（ST）
意法半导体（ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。
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微欧功率MOSFET晶体管（ST）
意法半导体（ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。
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NEC电子在华启动全方位大学合作活动
NEC电子的全资子公司—日电电子(中国)有限公司相继推出一系列与大学的合作活动，在原有的大学合作活动的基础上，通过全方位的合作方式，更积极的协助中国国内大学推进电子行业的教育。在该方针的带动下，NEC电子日前
