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60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接近器件减
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 （SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。与其它竞争
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N沟道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 （SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。与其它竞争
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 （SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。与其它竞争
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N沟道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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全新系列功率MOSFET晶体管（ST）
意法半导体（ST）推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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