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罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。 新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性，
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IR推出采用TO-220 fullpak 封装的车用功率MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。在N和P通道配置中，该新型55V平面器
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罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET
21ic讯 罗姆面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性，有助于各种设备的DC/DC电源电路实现更低功耗。另外
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罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET
21IC讯 日本半导体制造商罗姆面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性，有助于各种设备的DC/DC电源电路实
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罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET
21IC讯 日本半导体制造商罗姆面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性，有助于各种设备的DC/DC电源电路实
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IR推出车用功率MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。 在N和P通道配置中，该新型55V平面
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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IGBT在不间断电源中的应用
1.引言在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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外国芯片商丧失中国市场的四点原因
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布在中国推广高端LED产品。新款驱动IC-R2A20135SP瑞萨电子驱动IC系列的这款最新成员设计用于高精度、高效LED照明系统，集成了调光功
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Microsemi推出DRF1400功率MOSFET
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布扩展其RF功率产品线，推出了DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗(ISM) 领域的RF发生器中使用，例如用于半导体、LCD和太阳能电池制造的等离子
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精确测量功率MOSFET的导通电阻
电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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精确测量功率MOSFET的导通电阻
电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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功率MOSFET的锂电池保护电路设计
铅酸电池具有安全、便宜、易维护的特点，因此目前仍然广泛的应用于电动自行车。但是铅酸电池污染大、笨重、循环次数少，随着世界各国对环保要求越来越高，铅酸电池的使用会越来越受到限制。磷酸铁锂电池作为一种新型
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Vishay推出下一代D系列高压功率MOSFET首款器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。日前发布的D系列MOSFET基
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Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET荣获年度电子成就奖
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年度奖项授
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Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。 中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年度奖项授予在设
