功率MOSFET

基于一种低成本的新型步进电机驱动器的研制

本文作者创新点：以单片步进电机控制器L297为控制核心，采用由晶体三极管和功率MOS管组成的分立式的功率驱动电路，以及以单片电流型脉宽调制（PWM）控制器SI9114A为核心的高频开关电源电路构成并实现了一种通用性强、控制简单、成本低廉的两相混合式步进电机驱动器。通过在包装机控制系统中的实际使用，进一步证明了该步进电机驱动器工作可靠，效率高，矩频特性好。

Vishay展示业内领先器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将在6月21-23日于上海国际会议中心举行的PCIM（功率转换，智能运动）Asia 2011期间，在A15和A16展位展示该公司最新的业界领先的电容器、电阻和功率

IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机

ST提升航天级功率电子元器件的市场供给和产品价值

21ic讯 随着全球对卫星通信、卫星电视、卫星天气预报及卫星地理数据的需求不断升温，意法半导体（ST） 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。据卫星产业协会报告显示，全球卫星市场正在

IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET

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ST提升航天级功率电子元器件的市场供给和产品价值

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2011年中国功率MOSFET市场放缓的两个因素

据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括

2011年中国功率MOSFET市场放缓的两个因素

据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括

2010年中国功率MOSFET市场增长43%

据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括

基于PIC16F873单片机的步进电机控制系统

单片机控制步进电机具有功能灵活多样，脉冲输出准确，实时性强等特点，通过软件设计可以实现各种复杂的控制，其系统成本较低，近些年来已被广泛应用在各种不同的运动控制系统中。　　在实际应用中，若步进电机在升降

IR推出优化版车用DirectFET®2功率MOSFET芯片组

21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7

IR推出优化版车用DirectFET®2功率MOSFET芯片组

21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7

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21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7

采用功率MOSFET的充电电路图

采用功率MOSFET的充电电路图

瑞萨电子推出新型高压功率MOSFET产品RJK60S5DPK

21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称瑞萨电子）推出用于电源器件的新型高压、N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）产品。新产品名为RJK60S5DPK，具有极高的效率，能显著降低PC服务器、通信基站以及太阳能

瑞萨电子推出新型高压功率MOSFET产品RJK60S5DPK

21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称瑞萨电子）推出用于电源器件的新型高压、N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）产品。新产品名为RJK60S5DPK，具有极高的效率，能显著降低PC服务器、通信基站以及太阳能

功率MOSFET雪崩击穿问题分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在

Vishay推出双芯片P沟道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ

21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器

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21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器