-
IR 推出采用 TSOP-6 封装的 HEXFET MOSFET 系列产品
国际整流器公司推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大
-
可降低油耗的汽车电子系统
前言我们如何才能使汽车驾驶室具备更多的功能，使发动机具有更大的功率，同时还能够符合各国政府对每加仑行驶距离的要求？只有采用新一代的低导通电阻功率MOSFET将汽车中传统的电力系统和液压系统改为电子系统，这些
-
可降低油耗的汽车电子系统
前言我们如何才能使汽车驾驶室具备更多的功能，使发动机具有更大的功率，同时还能够符合各国政府对每加仑行驶距离的要求？只有采用新一代的低导通电阻功率MOSFET将汽车中传统的电力系统和液压系统改为电子系统，这些
-
功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟
摘要：在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上，研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线，明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET，表明低掺杂缓冲层可提高器件负
-
罗姆推出超低导通电阻的高耐压功率MOSFET R5050DNZ0C9
21ic讯 日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本产品采用散热
-
电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器电路及工作原理
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
-
高频特性得到改善的功率MOSFET放大器电路及其工作原理
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
-
电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器电路及工作原理
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
-
高频特性得到改善的功率MOSFET放大器电路及其工作原理
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
-
低门限电压延长电池寿命技术
多年以来，从事电源管理业务的半导体制造商尽力跟上终端系统用户的需求。越来越多的便携式电子产品在功能上花样翻新，这些产品需要峰值性能，要求设计者在设备的物理尺度内实现尽可能高的效率。虽然电池行业努力开发
-
低门限电压延长电池寿命技术
多年以来，从事电源管理业务的半导体制造商尽力跟上终端系统用户的需求。越来越多的便携式电子产品在功能上花样翻新，这些产品需要峰值性能，要求设计者在设备的物理尺度内实现尽可能高的效率。虽然电池行业努力开发
-
功率MOSFET设计考量
用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
-
功率MOSFET设计考量
用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
-
飞兆与英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)和英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench非对称结构功
-
飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议 为客户保证供货稳定性
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET
-
飞兆与英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench非对称结构
-
飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET
-
飞兆半导体和英飞凌科技扩展功率MOSFET兼容协议
21ic讯 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench&r
-
ST推出MDmesh V功率MOSFET晶体管打破世界纪录
21ic讯 中国，2011年12月27日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功
-
Vishay功率MOSFET荣获“中国优秀电子产品”奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET® 荣获专业媒体《电子技术应用》(AET)的“中国优秀电子产品”奖。 在采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装的60V器件中，SiR662DP 6
gck_2009
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
pangkitty
tongpcb
eengrzh
fortaczx
lyp123010
lenjohn0591
nikel
weldon116
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
wyiqing
