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Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83mΩ的低导通电阻日前，Vishay Intertechnology宣布，推
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用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
1 引言 scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的。这些需求包括：可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变
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Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---
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功率MOSFET驱动器提供了车载照明保护与控制
中心论题：负载控制前置FET驱动器和N-通道功率FET组合控制系统中的四种不同负载设置浪涌电流的动态故障阈值车载照明系统的故障检测和保护解决方案：将一个高压侧前置 FET 驱动器和功率FET组合控制车载照明电子开关进
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Vishay推出其E系列600V功率MOSFET新增17款新器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将
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功率MOSFET管驱动变压器设计
摘要： 对具有驱动变压器的功率MOSFET管驱动电路的动态过程进行了分析，推导了驱动变压器设计参数（绕组电流有效值，变压器功率）的计算方法，定量分析了变压器漏感和电路杂散电感对开通过程的影响，并通过仿真和试
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对汽车电子系统低油耗设计的讨论
前言我们如何才能使汽车驾驶室具备更多的功能，使发动机具有更大的功率，同时还能够符合各国政府对每加仑行驶距离的要求?只有采用新一代的低导通电阻功率MOSFET将汽车中传统的电力系统和液压系统改为电子系统，这些M
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怎样去选择好逆变器功率器件
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(GTR)，功率场效应管(MOSFET)，绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等。在小容量低压系统
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功率MOSFET逆变器
T1具有一个12.6V的断层绕阻，它对于所需要的电压是一个合适的变压器。
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功率MOSFET逆变器
T1具有一个12.6V的断层绕阻，它对于所需要的电压是一个合适的变压器。
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功率MOSFET数据表深入分析
本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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如何才能使汽车驾驶室具备更多的功能
前言我们如何才能使汽车驾驶室具 备更多的功能，使发动机具有更大的功率，同时还能够符合各国政府对每加仑行驶距离的要求?只有采用新一代的低导通电阻功率MOSFET将汽车中传统的电力 系统和液压系统改为电子系统，这些
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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功率器件的新时代汽车电子功率MOSFET技术
过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247
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12个大功率MOSFET基于逆变焊机的应用与评测
摘要： 逆变焊机的电路结构,一般是采用整流--逆变--再整流的过程,即交流--直流--交流.由于逆变过程中工作频率高,因此控制过程的动态特性统计局到提高,焊机的体积小,重量轻.... 逆变焊机的电路结
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罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET
21ic讯 罗姆面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性，有助于各种设备的DC/DC电源电路实现更低功耗。另外
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Vishay Siliconix 推出 N沟道TrenchFET®功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。 新的Si
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IR推出车用功率MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。 在N和P通道配置中，该新型55V平面
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
