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Vishay推出双芯片P沟道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
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新型DirectFETplus功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技术，可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。IRF6811和
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单通道功率MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装，占位面积比业界
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单通道功率MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装，占位面积比业界
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单通道功率MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装，占位面积比业界
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新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
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功率MOSFET驱动技术详解
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在
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通用半桥驱动器NJW4800（新日本无线）
新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。【开发背景】 为了减
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通用半桥驱动器NJW4800（新日本无线）
新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。【开发背景】 为了减
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通用半桥驱动器NJW4800（新日本无线）
新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。【开发背景】 为了减
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通用半桥驱动器NJW4800（新日本无线）
新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。【开发背景】 为了减
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深入理解功率MOSFET数据表
本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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深入理解功率MOSFET数据表
本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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2010年中国功率MOSFET领域将增长，但明年将放缓
据iSuppli公司，由于2010年销售增长50%以上，而且产量有限，英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给，而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元，比2009
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高
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非对称双通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有
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非对称双通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有
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600V、47A N沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。栅极电荷与导通电
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封装上下均设有散热路径，飞兆发布新构造功率MOSFET
美国飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）开发出面向功率MOSFET的高散热封装技术“Dual Cool”，已经开始量产供货采用该技术的5款产品。产品用于DC-DC转换器的开关元件。通过将其设置成不仅封装底端，从上端也可散
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