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基础知识：连续模式PFC功率MOSFET电流有效值、平均值计算
中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流斩波为和输入正弦波电压同相位的、具有正弦波包络线的开关电流波形，从而提高输入的功
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为什么超结高压功率MOSFET输出电容的非线性特性更严重？
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P型体区下沉，这样在其内部形成P柱，和N区非常宽的接触面产生宽的耗尽层，
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超结高压功率MOSFET驱动参数对开关特性的影响
刘松 刘瞻 艾结华 曹雪 张龙 新一代的超结结构的功率MOSFET中有一些在关断的过程中沟道具有提前关断的特性，因此，它们的关断的特性不受栅极驱动电阻的控制，但是，并不是所有的超结结构的功率MOSFET都具有这样的特性，和它们内部结构、单元尺寸以及电压额
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功率MOSFET管Rds负温度系数对负载开关设计影响
摘要：本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台
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理解MOSFET时间相关及能量相关输出电容Coss(tr)和Coss(er)
摘要：本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法，特别说明了在实际的不同应用中，采用不同的输出电容的原因。谐振变换器必须采用时间相关输出电容Coss(tr)来计算死区时间
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功率MOSFET安全工作区，真的安全吗？
摘要：本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义，详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间
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超结高压功率MOSFET的零电压ZVS关断特性
1、功率MOSFET常规的开关特性 功率MOSFET在开通的过程中，当VGS的驱动电压从VTH上升到米勒平台VGP时间段t1-t2，漏极电流ID从0增加系统的最大的电流，VGS和ID保持由跨导GFS所限制的传输特性曲线的关系，而VDS的电压保持不变，这一个时间区域称为di/dt，主要由
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基础知识：功率MOSFET输出电容为何会随着外加电压增加而降低？
功率MOSFET的输出电容是非常重要的一个参数，读过功率MOSFET数据表的工程师应该注意到：输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，那么为什么会有这样的特性？ 众所周知，当电容二端的电压增加时，就会形成对电容的充电电流，电容二
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周末随想：PFC中功率MOSFET常见的一种失效形式
TV、户外LED照明等功率比较大的电源系统中，通常输入端使用PFC功率因素校正电路。系统反复起动的过程中，如系统动态老化Burn In测试、输入打火测试，由于PFC控制芯片的供电VCC电源建立过程比较慢，特别是使用PFC的电感绕组给PFC控制芯片供电的情况，会导致功
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功率MOSFET关断dV/dT的区别，你知道吗？
你知道什么是功率MOSFET关断dV/dT?中、高功率的电源电路经常使用有源功率因素校正PFC电路，提高电路的功率因素，减小谐波。PFC的高压功率MOSFET的开通和关断的状态，不但影响系统和效率，而且影响系统的EMI，和EMI相关的一个最重要的参数就是MOSFET开通和关断dV/dt。
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“器件大师”的经验！MOSFET器件选型的3大法则
俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素
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稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
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从原理到具体电路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用
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东芝车规级40V N沟道功率MOSFET TPHR7904PB
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。
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Vishay公布2017年新“Super 12”明星产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公布2017年的“Super 12”明星产品。每一年，Vishay都会精选出12个采用新技术或改进技术，能够显著提高终端产品和系统
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Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，扩充其600V和6
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ST推出新款功率MOSFET，实现更小、更环保的汽车电源
21ic电源网讯 意法半导体(ST)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超
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ST推出世界首款1500V超结功率MOSFET 实现更环保、更安全的电源应用
意法半导体(STMicroelectronics)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。
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东芝推出汽车N通道功率MOSFET，60V，40A产品：TK40S06N1L
东芝已推出了一款车用60V N通道功率MOSFET产品：TK40S06N1L。通过安装由U-MOSVIII-H系列工艺所开发的采用了低电阻DPAK+封装的MOSFET芯片，该产品实现了业内领先*1的低导通电阻特性。它采用的结构具有低导通电阻，从而
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意法半导体（ST）的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的槽栅结构低压MOSFETs STripFET F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。
