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Vishay Siliconix推出新品扩充PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET家族
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品
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Vishay Siliconix推出新品扩充PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET家族
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品
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理解功率 MOSFET 的电流
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选
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Vishay Siliconix推出通过JAN认证N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应
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Vishay Siliconix推出超小N沟道和P沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
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Vishay的TrenchFET功率MOSFET荣获电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET?功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得
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罗姆推出34ｍΩ的低导通电阻
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装
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罗姆推出34ｍΩ的低导通电阻
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装
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Vishay Siliconix公司功率MOSFET荣获《今日电子》Top-10 DC/DC电源产品奖
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。《今日电子》的编辑从开
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TinySwitchⅡ及其在待机电源中的应用
1、引言 近年来，单片开关电源以其构成电源系统的低成本、高可靠性和设计灵活性等优点越来越受到电源设计者的欢迎。TinySwitch-Ⅱ系列是美国Power Integrations公司继TinySwitch之后，最新推出的第二代增强型高效
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TinySwitchⅡ及其在待机电源中的应用
1、引言 近年来，单片开关电源以其构成电源系统的低成本、高可靠性和设计灵活性等优点越来越受到电源设计者的欢迎。TinySwitch-Ⅱ系列是美国Power Integrations公司继TinySwitch之后，最新推出的第二代增强型高效
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安森美半导体推出带开关控制器功率MOSFET
21ic讯 8月18日，安森美半导体推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET® 功率MOSFET器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提
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Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。新款SiB437EDK
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瑞萨电子推出面向消费类电机驱动应用功率半导体器件
21ic讯 瑞萨电子公司（以下简称“瑞萨电子”）宣布开发面向消费类产品（如无线电动工具和电动自行车）中电机驱动的100A大电流功率MOSFET，以便加强公司的整个功率半导体器件生产线。新款功率MOSFET提供了较
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完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全
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完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全
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IR推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
21ic讯 国际整流器公司 (简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用
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IR推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
21ic讯 国际整流器公司 (简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用
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基于一种低成本的新型步进电机驱动器的研制
本文作者创新点：以单片步进电机控制器L297为控制核心，采用由晶体三极管和功率MOS管组成的分立式的功率驱动电路，以及以单片电流型脉宽调制（PWM）控制器SI9114A为核心的高频开关电源电路构成并实现了一种通用性强、控制简单、成本低廉的两相混合式步进电机驱动器。通过在包装机控制系统中的实际使用，进一步证明了该步进电机驱动器工作可靠，效率高，矩频特性好。
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基于一种低成本的新型步进电机驱动器的研制
本文作者创新点：以单片步进电机控制器L297为控制核心，采用由晶体三极管和功率MOS管组成的分立式的功率驱动电路，以及以单片电流型脉宽调制（PWM）控制器SI9114A为核心的高频开关电源电路构成并实现了一种通用性强、控制简单、成本低廉的两相混合式步进电机驱动器。通过在包装机控制系统中的实际使用，进一步证明了该步进电机驱动器工作可靠，效率高，矩频特性好。
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