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意法半导体（ST）新功率MOSFET实现近乎完美的开关性能
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。
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全新英飞凌功率MOSFET系列使电动工具更紧凑耐用
DIY工具，比如无线电钻和电锯必须方便使用且经久耐用。因此，其所用的电子元件必须紧凑、坚固。英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFET Power MOSFET产品系列，推出同时满足紧
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奔驰首款插电混动SUV动力总成解读
据外国媒体报道 - 高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称瑞萨电子)正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSF
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东芝推出40V电压功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列
21ic电源网讯 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-
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东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器
东芝公司旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的
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IR推出两款40V汽车应用COOLiRFET功率MOSFET 产品
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品——AUIRFN8459和AUIRFN8458，为需要小体积、
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基于功率MOSFET的锂电池保护电路设计
铅酸电池具有安全、便宜、易维护的特点，因此目前仍然广泛的应用于电动自行车。但是铅酸电池污染大、笨重、循环次数少，随着世界各国对环保要求越来越高，铅酸电池的使
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Diodes推出世界最小60V功率MOSFET 提升功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出导通电阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面积为1.6mm x 1.6mm，高度则是一般的0.5mm，并采用了DF
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英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议
【导读】英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布，两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 （Power33）封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。 2010年4月26日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司与飞
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数据处理、消费电子需求旺盛 功率MOSFET供应紧张将持续到明年Q1
【导读】据iSuppli公司，由于2010年销售增长50%以上，而且产量有限，英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给，而且交货期拉长。 据iSuppli分析，2010年中国功率MOSFET市场
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飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议
【导读】飞兆半导体公司宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench®非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOS
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安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列
25 V器件利用设计、封装及材料技术以提供MOSFET能效基准，用于服务器及电信交换机应用安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(
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Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V
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Vishay推出最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
Vishay 宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和
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Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面积2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封装21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小
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意法半导体将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOSFET系列产品
21ic讯 意法半导体将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOSFET系列产品，让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。意法半
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德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，
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功率器件供应趋紧 各厂商全速扩充产能
自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要求。伴随
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射极跟随器时的功率MOSFET的驱动
功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用控制IC的数据表，就会发现作为功率MOS的常见驱动的设备。代表性的
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