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宏力半导体成功开发MCU代工技术
专注于差异化技术的半导体制造一直是宏力半导体的公司战略方向。近日宏力宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式闪存)以及EEPR
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做特色代工 宏力半导体成功开发MCU代工技术
专注于差异化技术的半导体制造一直是宏力半导体的公司战略方向。近日宏力宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式闪存)以及EEPR
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宏力半导体MCU工艺制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌
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应用于微控制器的低成本高效率OTP制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业企业之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.1
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俄罗斯Mikron与意法二度联手 开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSCMikron宣布与意法半导体合资的90nm8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18微
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英科学家成功研制纳米级光学显微镜
英国和新加坡研究人员1日报告说，他们制造出能够观测50纳米大小物体的光学显微镜，这是迄今观测能力最强的光学显微镜，也是世界上第一个能在普通白光照明下直接观测纳米级物体的光学显微镜。 英国曼彻斯特大学
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俄罗斯Mikron与意法联手开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18
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Mikron与意法二度联手 开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18
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宏力半导体0.18微米低本高效OTP制程成功量产
上海宏力半导体2日宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP 制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点，在使用较少光罩层数的同时，创造了业内OTP最小单元
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Mikron 意法二度联手 开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。 该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.
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宏力半导体宣布 用于微控制器的OTP制程成功量产
中国上海，2011年3月——上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP 制程结合了力旺电子的绿能OT
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宏力半导体和力旺电子宣布应用于微控制器的低成本高效率OTP制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP 制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身
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半导体产业：创新发展进行时
中国半导体行业协会最新统计数据显示，2010年，我国国内集成电路产业销售额1440亿元，实现近30%的高增长。不仅如此，在国家对研发创新给予重点投入与大力扶持的帮助下，在我国半导体企业的不懈努力下，我国半导体技术
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半导体产业：创新发展进行时
中国半导体行业协会最新统计数据显示，2010年，我国国内集成电路产业销售额1440亿元，实现近30%的高增长。不仅如此，在国家对研发创新给予重点投入与大力扶持的帮助下，在我国半导体企业的不懈努力下，我国半导体技术
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半导体产业：创新发展进行时
中国半导体行业协会最新统计数据显示，2010年，我国国内集成电路产业销售额1440亿元，实现近30%的高增长。不仅如此，在国家对研发创新给予重点投入与大力扶持的帮助下，在我国半导体企业的不懈努力下，我国半导体技术
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北卡罗莱纳州立大学研究出一种能提高LED发光材料质量的新技术
日前外媒报导，北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷，来提高LED发光材料的质量的新技术。 研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫
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1.1微米和1.4微米背照式图像传感器（Aptina）
Aptina日前宣布，该公司将在2011年世界移动通信大会上展示其新型1.1微米和1.4微米背照式（BSI）图像传感器，此次大会将在西班牙巴塞罗那举行。获邀嘉宾将可以观看用于移动应用的8兆像素（MP）1/4” 1.1微米背照
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联电1月营收95.3亿元 年增10.75%
联电公布自结2011年1月营收，受到产品组合、制程转换和新台币升值等因素影响，1月营收较上月小幅减少6.42%，为新台币95.3亿元，年增率10.75%。2月受到农历春节工作天数减少影响，营收会再下滑，整体第1季的营收趋势将
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联电1月营收95.3亿元 年增10.75%
连于慧／台北 联电公布自结2011年1月营收，受到产品组合、制程转换和新台币升值等因素影响，1月营收较上月小幅减少6.42%，为新台币95.3亿元，年增率10.75%。2月受到农历春节工作天数减少影响，营收会再下滑，整体第
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一种可促使LED更有效开发的新技术问世
据sify.com网站报道，LED照明主要依赖于氮化镓薄膜的发光二极管。北卡罗莱纳州立大学发现了一种新的技术，这项技术能将把薄膜中的缺陷降低2~3个数量级。Salah Bedair教授指出，这将提高发光材料的质量，因此，相同的
