北京时间7月10日凌晨消息,英特尔周一称,该公司将以40多亿美元的价格收购荷兰电子芯片设备制造商阿斯麦(ASML)的部分股份,以及为这家公司的研究业务提供资金上的支持,目标是加快代价高昂的下一代技术的开发速度,推
英特尔拟注资阿斯麦41亿美元换取15%股份
LED制造商中只有一少部分能够制造出高品质的LED。对于只用作简单指示作用的应用,低品质的LED就足以满足要求了。但是在许多要求一致性、可靠性、固态指示或照明等领域里必须采用高品质的LED,特别是在恶劣环境下,例
DRAM产业回复满载、晶圆代工市场能见度佳,推升半导体矽晶圆第三季需求畅旺,台胜科(3532)第二季营收已有15.5%的季成长,展望第三季,台胜科主管表示,半导体矽晶圆整体需求相当不错,目前8寸厂和12寸厂仍维持满载,
LED制造商中只有一少部分能够制造出高品质的LED。对于只用作简单指示作用的应用,低品质的LED就足以满足要求了。但是在许多要求一致性、可靠性、固态指示或照明等领域里必须采用高品质的LED,特别是在恶劣环境下,例
市传台积电(2330-TW)(UMC-US)客户猛追单,订单外溢让联电(2303-TW)(UMC-US)受惠。法人预估联电第二季业绩目标应可乐观达阵。联电ADR罕见随费半强涨后,联电今(2)日股价也随大盘攻上季线同步挑战季线反压,带量跳空涨
台积电(2330-TW)(TSM-US)今(29)日与经济部水利署及台湾水环境再生协会共同举办「水资源论坛」。台积电副董事长曾繁城表示,台积电向来致力于节约用水,二十几年来已经有相当显著的成效。藉由降低制程用水量与提升回收
工研院IEK产业分析师陈玲君表示,中国大陆在IC封测业急起直追,国际IDM厂透过独资或合资方式,已与大陆厂商建立密切关系,撑起大陆IC封测业局面。 IEK26日举办「2012年台湾IC产业走出混沌蓄势奋起」研讨会,IEK
工研院IEK产业分析师陈玲君表示,中国大陆在IC封测业急起直追,国际IDM厂透过独资或合资方式,已与大陆厂商建立密切关系,撑起大陆IC封测业局面。 IEK26日举办「2012年台湾IC产业走出混沌蓄势奋起」研讨会,IEK
随着晶圆和其它逻辑制造厂增加30奈米以下的生产,晶圆制造设备于2012初始表现强劲。但是,根据Gartner最新报告,2012年全球晶圆制造设备(WFE)支出预期为330亿美元,较2011年362亿美元的支出规模衰退了8.9%。Gartne
工研院IEK产业分析师陈玲君表示,中国大陆在IC封测业急起直追,国际IDM厂透过独资或合资方式,已与大陆厂商建立密切关系,撑起大陆IC封测业局面。 工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)26日早上举办「2012年台湾IC产业
工研院IEK产业分析师陈玲君表示,中国大陆在IC封测业急起直追,国际IDM厂透过独资或合资方式,已与大陆厂商建立密切关系,撑起大陆IC封测业局面。 中央社26日报导,工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)今天早上
随着晶圆和其它逻辑制造厂增加30奈米以下的生产, 晶圆制造设备于2012初始表现强劲。但是,根据Gartner最新报告,2012年全球晶圆制造设备(WFE)支出预期为330亿美元,较2011年362亿美元的支出规模衰退了8.9%。Gartn
根据EnergyTrend的数据显示,受到欧洲经济状况仍不稳定的影响,消息指出欧洲部分电厂投资案因而受到牵连,进度不如预期。另一方面,原本市场对于第三季订单有相当期待,在此次InterSolar展会中结束后出现变化,目前看
根据EnergyTrend的数据显示,受到欧洲经济状况仍不稳定的影响,消息指出欧洲部分电厂投资案因而受到牵连,进度不如预期。另一方面,原本市场对于第三季订单有相当期待,在此次InterSolar展会中结束后出现变化,目前看
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
半导体矽晶圆厂商合晶 (6182)董事长焦平海19日表示,国际半导体矽晶圆大厂近几年来陆续将资源投注重心放在12吋市场,削减其效益不彰的8吋矽晶圆产能,然8吋市场需求热度不减,尤其半导体制造转往亚洲区的趋势明显,合
旺矽(6223)第2季来接单持续转强,除了晶圆探针卡接单满载,LED测试设备接单也在6月出现强劲成长,月增率达15%,因此6月营收有机会较5月成长10~20%,第2季营收将较首季大增50~60%,营运明显走出谷底。 旺矽营
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上