晶圆
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晶圆双雄5月营收将报喜
晶圆双雄公布5月营收，预料将双喜临门，台积电可望续创历史新高，联电则步入40与28纳米收割期，法人预估5月营收继续站稳90亿元，有机会叩关百亿元，创17个月来新高，第2季超越财测可期。目前台湾半导体业者中，单月营
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晶圆双雄 Q3挂「苹安符」
苹果强攻新iPad及iPhone5，第3季拉货动起来，包括手机芯片、影像传感器、无线网通芯片等庞大半导体元件需求，7月将大举备料，为台积电（2330）、联电、世界先进、日月光、矽品、京元电、力成、华东等半导体带来强劲订
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京元电5月营收增4.66%
IC晶圆和成品测试厂京元电自结5月营收新台币10.5亿元，较4月10.04亿元成长4.66%，比去年同期9.5亿元成长10.52%。 中央社台北7日报导指出，累计今年前5月京元电自结营收47.82亿元，较去年同期48.38亿元微减1.15%。
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IC芯片的晶圆级射频(RF)测试分析
对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路
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联电5月营收92.06亿元连2月站上90亿元大关
晶圆双雄今(??8)日同步公告5月营收。联电(2303-TW)(UMC-US)自结5月营收新台币92.06亿元，月增0.89%，连2月站上90亿元大关；而与去年同期相比则减2.06% 。联电自结4月营收达新台币91.24亿元，创近10个月来单月营收新高
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晶圆双雄 营收将报喜
晶圆双雄5月营收今（8）日公布5月营收，预料将双喜临门，台积电（2330）可望续创历史新高，联电则步入40与28纳米收割期，法人预估5月营收继续站稳90亿元，有机会叩关百亿元，创17个月来新高，第2季超越财测可期。目前
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晶圆双雄 营收将报喜
晶圆双雄5月营收今（8）日公布5月营收，预料将双喜临门，台积电（2330）可望续创历史新高，联电则步入40与28纳米收割期，法人预估5月营收继续站稳90亿元，有机会叩关百亿元，创17个月来新高，第2季超越财测可期。 目
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晶圆双雄 营收将报喜
晶圆双雄5月营收今（8）日公布5月营收，预料将双喜临门，台积电（2330）可望续创历史新高，联电则步入40与28奈米收割期，法人预估5月营收继续站稳90亿元，有机会叩关百亿元，创17个月来新高，第2季超越财测可期。
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半导体获利 瑞信下修 台积、联电Q3每股纯益估1.78元、0.32元
愈来愈多外资提出对第3季半导体景气看法保守的观点，瑞信证券台股研究部主管艾蓝迪（Randy Abrams）表示，第3季总体经济带来风险，因此对台积电（2330）、联电（2303）、矽品（2325）、日月光（2311）等四档重量级半
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高盛调降晶圆双雄投资评等
外资圈对欧债危机，导致全球经济成长趋缓、恐迫使半导体产业库存水位攀升的疑虑越来越高，美商高盛证券半导体分析师吕东风昨（1）日将台积电与联电投资评等分别调降至「中立」与「卖出」，目标价分别为80与12元。
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12类半导体晶圆设备未经许可登陆仍罚
经济部国贸局近日修正输往中国大陆的战略性高科技货品（SHTC）管制项目，国贸局长卓士昭昨（31）日表示，SHTC管制出口地将中国大陆除名，不过，厂商如果未经许可出口12类半导体晶圆制造设备至大陆，仍将遭受刑事处罚
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新型IGBT软开关在应用中的损耗分析
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用&ldquo
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新研发定向自组装技术扫清14nm节点障碍
由半导体研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所资助的一个研发团队日前宣布，已经开发出一种新颖的自组装技术，该技术之前仅在实验室进行实验，但现在已经能针对14nm半导体工艺完善地建立所需的不规则图案了。
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精确测量功率MOSFET的导通电阻
电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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新技术可取代蓝宝石衬底 大幅降低LED生产成本
据物理学家组织网近日报道，一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本，进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究，成功在硅衬底上生产出了氮化镓LED
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新技术可取代蓝宝石衬底 大幅降低LED生产成本
据物理学家组织网近日报道，一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本，进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究，成功在硅衬底上生产出了氮化镓LED
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新型IGBT软开关在应用中的损耗分析
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用&ldquo
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新技术可取代蓝宝石衬底 大幅降低LED生产成本
据物理学家组织网近日报道，一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本，进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究，成功在硅衬底上生产出了氮化镓LED
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砸34亿美元三星加码非记忆体晶片
南韩三星电子日前宣布，计划在其晶片生产作业集中的京畿道华城，投资4兆韩元（约34亿美元）兴建一座新的非记忆体晶片厂。因为在智慧型手机和平板电脑等需求带动下，非记忆体晶片将是三星下一个金鸡母。这座新厂将成为
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砸34亿美元三星加码非记忆体晶片
南韩三星电子日前宣布，计划在其晶片生产作业集中的京畿道华城，投资4兆韩元（约34亿美元）兴建一座新的非记忆体晶片厂。因为在智慧型手机和平板电脑等需求带动下，非记忆体晶片将是三星下一个金鸡母。 这座新厂将
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