-
世界最大的氮化镓LED MOCVD反应器诞生 LED制造成本有望下降
来自AIXTRON SE公司官方网发布的消息，AIXTRON SE最新推出的CRIUS II-L MOCVD反应器将MOCVD反应器的容量，生产能力和led生产成本都提升到新的高度，成为世界上最大容量的MOCVD反应器。该MOCVD反应器具有生产16x4英寸
-
科锐商用无线射频的发货量已突破10兆瓦
科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的无线射频（RF）业务部门已出货的商用碳化硅衬底氮化镓 (GaN-on-SiC) RF 功率晶体管和 MMIC 产品的合计 RF 输出功率已突破 10 兆瓦。这一里程碑式成果充
-
美国国家半导体推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET 100V半桥栅极驱动器
21ic讯 美国国家半导体公司近日宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱
-
IMEC利用CMOS工艺制程GaN MISHEMTs
欧洲微电子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-elect
-
IMEC发布200毫米CMOS硅衬底晶片生产技术
IMEC（Interuniversity MicroELectronics Centre，欧洲微电子研究中心）近日发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化镓工业联盟计划（IIAP）的研发项目里，IMEC与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/AlGa
-
三星订购爱思强顶尖MOCVD
德国MOCVD设备大厂爱思强(AIXTRON)日前宣布，接获来自韩国三星LED基于专业生产LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®设备订单。 三星此次订购的G5新系统将是公司最顶尖的LED生产设备，主要用来生产用于
-
三星LED订购AIXTRON最新G5设备扩产高亮度蓝白光LED
德国MOCVD设备大厂爱思强(AIXTRON)日前宣布，接获来自韩国三星LED基于专业生产LED的AIXG5HTMOCVDPlanetaryReactor®设备订单。三星此次订购的G5新系统将是公司最顶尖的LED生产设备，主要用来生产用于电视背光及固
-
三星订购爱思强顶尖LED生产设备
德国MOCVD设备大厂爱思强(AIXTRON)日前宣布，接获来自韩国三星LED基于专业生产LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®设备订单。三星此次订购的G5新系统将是公司最顶尖的LED生产设备，主要用来生产用于电视背光
-
三星重启电力芯片事业
据韩国电子新闻报导，三星电子(SamsungElectronics)1990年代受到专利诉讼、国际货币基金组织(IMF)危机等，1999年决定抛售工厂并撤守电力芯片事业，历经12年，三星又再度着手进行该事业。从数年前开始，以三星电子综合
-
三星重启电力芯片事业
据韩国电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics) 1990年代受到专利诉讼、国际货币基金组织(IMF)危机等，1999年决定抛售工厂并撤守电力芯片事业，历经12年，三星又再度着手进行该事业。从数年前开始，以三星电子
-
美国发明提高绿光LED光效新方法
日前，美国伦斯勒理工学院研究人员发现，在LED的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻，使LED产生绿光，可极大改进光提取、内部效率和发光量等方面。 电脑显示器和电视机是通过红色、蓝色和绿色来显示颜色的，
-
大陆LED商猛扩产
为因应持续增长的市场需求，发光二极体(LED)的制造商正积极扩充新的产能，连带使得LED的关键制程设备──有机化学气相沉积法(MOCVD)机台出货量不断攀升。市场研究机构IMS的Reseach指出，尽管2010年下半年的LED市场需
-
大陆LED商猛扩产 MOCVD生产出货破千台
为因应持续增长的市场需求，发光二极体（led）的制造商正积极扩充新的产能，连带使得LED的关键制程设备──有机化学气相沉积法（MOCVD）机台出货量不断攀升。市场研究机构IMS的Reseach指出，尽管2010年下半年的LED市
-
Globalfoundries与IMEC签署亚22nm节点制程CMOS合作计划
拥有阿拉伯财阀背景的Globalfoundries公司最近与欧洲半导体研究机构，比利时的IMEC签署了一项关于在亚22nm节点制程CMOS技术和硅上氮化镓（GaN-on-Si：可用于制造固态照明器件，功率器件和射频电路器件等）技术结成长
-
普瑞光电推出新型氮化镓硅衬底LED制造技术
普瑞光电（Bridgelux）是一家美国LED照明的开发商与制造商，该公司近日宣布，他们已经成功实现了最新的基于硅衬底的LED制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。该公司相关负
-
普瑞光电正式对外演示135lm/W氮化镓硅LED
美国-普瑞光电( www.bridgelux.com )近日正式对外宣布其基于实验室的最新技术研发成就：每瓦135流明的基于硅衬底的氮化镓LED。 GaN-on-silicon LEDs 技术一直以来被业界认为是快速降低LED生产成本的利器，过去几年也
-
美方称新一代电子芯片将给军事电子市场带来革命性进展
美国《防务新闻》周刊网站2月28日报道 原题：经过长时间研发，国防业有了高性能芯片(记者戴夫·马宗达)美国国防工业及政府官员表示，新一代电子芯片将注定给军事电子市场带来革命性的变化。美国国防部高级研究
-
北卡罗莱纳州立大学研究出一种能提高LED发光材料质量的新技术
日前外媒报导，北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷，来提高LED发光材料的质量的新技术。 研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫
-
一种新的氮化镓生长工艺有望制造出更高亮度的LED发光二极管
美国北卡罗来纳州立大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺，据称和现有工艺比较，这一新工艺有望把材料的缺陷减低千分之一，从而使得那些基于氮化镓的LED发光二极管、功率器件等的输出能力增加一倍
-
NEULAND开辟可再生能源电力高效利用新途径
随着全球能源需求的不断攀升，提高能源效率成为降低二氧化碳排放，确保能源可靠供应的重要手段。为此，德国半导体和太阳能行业的6家合作伙伴携手开展了NEULAND项目。该项目由德国联邦教育与研究部(BMBF)资助，旨在开
a19930615
oo020200220
鑫越电子
chenARM
chenARM
chenARM
chenARM
chenARM
meng__@126.com
上地是苹果
tianmu354
zhaoyunlong5212
lbxiand
flower_huanghua
挂漏哺糟
zanjun
zjswuyunbo
my21cn
南京烙印技术
wwkkww1983
