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意法半导体(ST)发布碳化硅太阳能解决方案
21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)发布碳化硅产品创新成果，助力系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的高能效电子设备。意法半导体已于近日在美国佛罗里达州举办的2012年国际太阳能展览会暨研讨会
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开关电源转换器高性能碳化硅（SiC）功率半导体器件
关键字：开关电源 转换器 碳化硅(SiC)进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开
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功率半导体：新封装新材料提升能效
随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，如何降低电子电器产品的高能耗成为眼下的热点话题之一。5月16日，国务院常务会议安排265亿元资金，对符合节能标准的平板电视、空
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功率半导体采用新型材料 更能符合节能需求
市场研究机构IMSResearch预测，全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后，2012年将进一步成长5.0%，达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示，经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年，导
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功率半导体采用新型材料 更能符合节能需求
市场研究机构IMSResearch预测，全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后，2012年将进一步成长5.0%，达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示，经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年，导
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功率半导体采用新型材料，更能符合节能需求
市场研究机构IMSResearch预测，全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后，2012年将进一步成长5.0%，达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示，经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年，导
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科锐采用ADS系统，开发碳化硅衬底氮化镓HEMT器件
科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布升级一款先进的工艺设计套件（PDK），该款 PDK 基于安捷伦公司的 Advanced Design System（ADS）软件，能够为微波和无线射频设计工程师提供研发碳化硅衬底氮化镓（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科锐宣布升级工艺设计套件，采用安捷伦ADS系统，开发碳化硅衬底氮化镓HEMT器件
科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布升级一款先进的工艺设计套件（PDK），该款 PDK 基于安捷伦公司的 Advanced Design System（ADS）软件，能够为微波和无线射频设计工程师提供研发碳化硅衬底氮化镓（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科锐推出突破性 GaN基固态放大器平台||突破性的技术实现传统方案两倍的效率
科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基（GaN-on-SiC）裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。 科
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科锐推出突破性 GaN基固态放大器平台||突破性的技术实现传统方案两倍的效率
科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基（GaN-on-SiC）裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
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具有快速开关和低VCESAT的1200V碳化硅双极性晶体管
由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖，电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率，具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中，功率损耗的降低可以改善
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具有快速开关和低VCESAT的1200V碳化硅双极性晶体管
由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖，电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率，具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中，功率损耗的降低可以改善
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科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
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科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
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LED芯片常用衬底材料选用比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：1.蓝宝石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）蓝宝石衬底
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LED芯片常用衬底材料选用比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：1.蓝宝石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）蓝宝石衬底
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适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准
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适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准
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国内首片碳化硅半导体晶片厦门诞生
3月12日消息，国内首片碳化硅半导体晶片已经于日前在厦门顺利“诞生”。更可喜的是，作为厦门市政府赴美国招商的重点项目，瀚天泰成电子科技厦门有限公司所提供的碳化硅半导体外延晶片填补了国内该领域空白，公司同时
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国内首片碳化硅半导体晶片厦门造 能减少75%的能耗
采用碳化硅取代传统的硅半导体材料制作的电力芯片能减少75%的能耗，碳化硅半导体已成为国际上公认的将引领电力电子，特别是大功率电力电子下一个50年的最佳电子材料。记者从厦门火炬高新区翔安产业园了解到，国内首片
