碳化硅

罗姆半导体正式量产碳化硅MOSFET模组

意法半导体拟收购碳化硅晶圆制造商Norstel AB的多数股权

意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)日前宣布签署一份协议，拟收购瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(以下简称“Norstel”)的多数股权。在此项收购交易完成后，意法半导体将在全球产能受限的情况下掌控部分SiC器件的整个供应链，为把握一个重大的发展机会做好准备。

富士康要做芯片了，济南2019重点项目透露了这些！

在实体经济项目中有几个重大项目引人注意，包括富士康功率芯片工厂建设项目、天岳高品质4H-SiC单晶衬底材料研发与产业化项目、天岳碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目等。

基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半导体紧跟时代步伐，采用国际领先的碳化硅设计生产工艺，推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，助推国内第三代半导体技术发展。

Cree与意法半导体宣布签署碳化硅晶圆多年供货协议

2019年1月10日，Cree有限公司宣布已签署一份多年供货协议，为横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)生产和供应Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圆。按照该协议的规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。

Cree与ST签署碳化硅晶圆多年供货协议

Cree有限公司宣布已签署一份多年供货协议，为意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)生产和供应Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圆。

UnitedSiC发布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列产品

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比，FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。

作为金牌合作代理商，世强元件电商出席ROHM技术研讨会

2018年9月起，ROHM技术研讨会在全国巡回举行，研讨会围绕\"电源\"与\"SiC(碳化硅) \"等话题开展技术。

Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。

碳化硅晶圆全球产能有限，紧缺状态何时能解?

由于碳化硅的生产瓶颈尚未解决，原料晶柱的质量不稳定，造成整体市场无法大规模普及。

碳化硅无法转换成市场规模 主因是碳化硅晶圆制造和产能不顺畅

相较于硅(Si)，采用碳化硅(SiC)基材的组件性能优势十分的显著，尤其是在高压与高频的性能上，然而，这些优势却始终未能转换成市场规模，主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。

突破！国内首条碳化硅智能功率模块生产线在厦门投产

近日，国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线在厦门芯光润泽科技有限公司正式投产，标志着我国在碳化硅芯片这个战略新兴行业又实现了一次重要的突破。

宽禁带技术 – 下一代功率器件

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。

安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。

中国电科二所实现半导体SiC单晶粉料和设备生产新突破

近日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。

大联大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

Littelfuse新推经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列

Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，近日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电力电子应用中超高速切换

Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ)，是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。 该装置针对

高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。