碳化硅

中欧“大咖”齐聚深圳，共话第三代半导体发展

9月19日，由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办，深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。

新产品系列-50A碳化硅功率器件

在日常生活中，电子产品处处可见，大家都知道如何使用，但是都不会去了解电子产品里面有什么，其实里面很重要的是功率器件。2012年5月9日，中国上海讯-碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq:CREE)将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列-50A碳化硅功率器件。

更薄的IIIA族氮化物结构

随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构，以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。

碳化硅功率器件的发展

在日常生活中，电子产品处处可见，大家都知道如何使用，但是都不会去了解电子产品里面有什么，其实里面很重要的是功率器件。2018年10月17日，高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：双方已达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。

CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果

中国北京，2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，公司将在7月17日–20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。

CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果

2019年7月16日,CISSOID今日宣布，公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。

深入剖析碳化硅：罗姆为你揭示背后的成本秘密

作为第三代半导体中的明星，碳化硅因为其独有的特性和优势受到各方青睐。尤其是时下电动汽车市场的火爆，助推了碳化硅器件的发展与应用。不过，作为新兴事物，碳化硅器件的产品良率及价格问题使得其应用变得扑朔迷离。碳化硅器件到底好在哪?目前主要应用领域?成本与硅相比差多少?发展前景如何?最近，碳化硅主要供应商罗姆半导体公司举办座谈会，罗姆半导体(北京)有限公司技术中心所长水原德建先生就这些问题进行了详细介绍。

安森美半导体推出由Strata Developer Studio™支持的电源方案板

安森美半导体在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio™ 开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案，使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围，且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。

一文读懂碳化硅半导体材料的发展历程

之前许久的时间里，我们基本都集中于以硅半导体材料为主的分立器件和集成电路的研究中，广泛的应用以于消费电子、工业控制、通信、汽车电子、航天航空等各个领域，带来的发展时巨大的。

CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系，共同研发解决方案推动碳化硅功率器件广泛应用

带有耐高温驱动器的碳化硅功率模块将助力新能源汽车领域加快发展

CISSOID和清华大学电机系达成技术合作意向，共同研发基于碳化硅功率模块的系统

CISSOID日前宣布：公司已与清华大学电机工程与应用电子技术系(简称电机系)达成技术合作意向，双方将携手研发基于碳化硅(SiC)功率模块的系统，期望共同攻克技术难题以求实现其潜在的高效率和高功率密度等优势，并将大力支持在新能源汽车领域开展广泛应用。

加强RF/功率半导体布局　Cree 3.1亿美元出售照明业务

为了更专注于加强RF业务及碳化硅(Silicon Carbide)和氮化镓(GaN)技术，Cree将其照明业务出售给IDEAL INDUSTRIES。并借此行为将更多资源投注于扩展其半导体业务，强化该公司在SiC和GaN市场的竞争优势，满足电动汽车、5G等应用需求。

泰科天润六英寸SiC项目落户江西九江

在江西九江市委、市政府主要领导的高位推动下，3月29日，由泰科天润半导体科技(北京)有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。该项目的落户是经开区大力发展战略新兴产业取得的重大新成果，为九江市打造千亿电子电器产业集群和壮大经开区首位产业注入新动能。

罗姆半导体正式量产碳化硅MOSFET模组

意法半导体拟收购碳化硅晶圆制造商Norstel AB的多数股权

意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)日前宣布签署一份协议，拟收购瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(以下简称“Norstel”)的多数股权。在此项收购交易完成后，意法半导体将在全球产能受限的情况下掌控部分SiC器件的整个供应链，为把握一个重大的发展机会做好准备。

富士康要做芯片了，济南2019重点项目透露了这些！

在实体经济项目中有几个重大项目引人注意，包括富士康功率芯片工厂建设项目、天岳高品质4H-SiC单晶衬底材料研发与产业化项目、天岳碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目等。

基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半导体紧跟时代步伐，采用国际领先的碳化硅设计生产工艺，推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，助推国内第三代半导体技术发展。

Cree与意法半导体宣布签署碳化硅晶圆多年供货协议

2019年1月10日，Cree有限公司宣布已签署一份多年供货协议，为横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)生产和供应Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圆。按照该协议的规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。

Cree与ST签署碳化硅晶圆多年供货协议

Cree有限公司宣布已签署一份多年供货协议，为意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)生产和供应Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圆。

UnitedSiC发布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列产品

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比，FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。