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作为金牌合作代理商，世强元件电商出席ROHM技术研讨会
2018年9月起，ROHM技术研讨会在全国巡回举行，研讨会围绕\"电源\"与\"SiC(碳化硅) \"等话题开展技术。
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Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。
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碳化硅晶圆全球产能有限，紧缺状态何时能解?
由于碳化硅的生产瓶颈尚未解决，原料晶柱的质量不稳定，造成整体市场无法大规模普及。
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碳化硅无法转换成市场规模 主因是碳化硅晶圆制造和产能不顺畅
相较于硅(Si)，采用碳化硅(SiC)基材的组件性能优势十分的显著，尤其是在高压与高频的性能上，然而，这些优势却始终未能转换成市场规模，主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。
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突破！国内首条碳化硅智能功率模块生产线在厦门投产
近日，国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线在厦门芯光润泽科技有限公司正式投产，标志着我国在碳化硅芯片这个战略新兴行业又实现了一次重要的突破。
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宽禁带技术 – 下一代功率器件
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
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安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。
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中国电科二所实现半导体SiC单晶粉料和设备生产新突破
近日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。
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大联大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
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Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。
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Littelfuse新推经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，近日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。
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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电力电子应用中超高速切换
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ)，是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。 该装置针对
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高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处
本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。
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碳化硅/氮化镓组件进入商品化 电力电子产业迎来大革命
LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然在成本上仍比传统硅组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。 这些新一代组件的商品化，为电力电子产业打开了全新的应用可能性。
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三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量
三菱电机半导体首席技术执行官Gourab Majumdar博士日前表示，为了提高三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市场渗透率，公司已经开始投资兴建6英寸晶圆生产线来扩产，再配合创新技术向市场推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新产品。
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美高森美携手Analog Devices公司 以加快客户设计和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 和全球领先的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。这款双碳化硅MOSFET驱动器参考设计提供用户友好的设计指南，并通过使用美高森美的碳化硅MOSFET缩短客户上市时间，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET过渡。
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Littelfuse 新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管 具有更低的开关损耗与更高的效率
混合pn肖特基 (MPS) 结构可增强抗浪涌能力并降低泄漏电流Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管，以
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英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET技术，助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
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CISSOID 向 Thales 交付首个碳化硅（ SiC ）智能功率模块
CISSOID公司近日宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首个三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模块(IPM)原型。该模块在 Clean Sky Joint Undertaking 项目的支持下开发而成，通过减小重量和尺寸，该模块有助于提高功率转换器密度，从而支持多电飞机(More-Electrical Aircraft)中的发电系统和机电致动器。
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高强度超轻金属材料问世：用处大！
据国外媒体报道，目前，美国加州大学洛杉矶分校研究小组最新研制出一种超高强度，非常轻的金属材料，他们使用一种新方法分散和稳定纳米微粒进入熔化状态的镁金属。这种新型
wangshujun
瞎折腾
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