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碳化硅/氮化镓组件进入商品化 电力电子产业迎来大革命
LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然在成本上仍比传统硅组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。 这些新一代组件的商品化，为电力电子产业打开了全新的应用可能性。
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三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量
三菱电机半导体首席技术执行官Gourab Majumdar博士日前表示，为了提高三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市场渗透率，公司已经开始投资兴建6英寸晶圆生产线来扩产，再配合创新技术向市场推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新产品。
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美高森美携手Analog Devices公司 以加快客户设计和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 和全球领先的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。这款双碳化硅MOSFET驱动器参考设计提供用户友好的设计指南，并通过使用美高森美的碳化硅MOSFET缩短客户上市时间，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET过渡。
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Littelfuse 新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管 具有更低的开关损耗与更高的效率
混合pn肖特基 (MPS) 结构可增强抗浪涌能力并降低泄漏电流Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管，以
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英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET技术，助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
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CISSOID 向 Thales 交付首个碳化硅（ SiC ）智能功率模块
CISSOID公司近日宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首个三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模块(IPM)原型。该模块在 Clean Sky Joint Undertaking 项目的支持下开发而成，通过减小重量和尺寸，该模块有助于提高功率转换器密度，从而支持多电飞机(More-Electrical Aircraft)中的发电系统和机电致动器。
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高强度超轻金属材料问世：用处大！
据国外媒体报道，目前，美国加州大学洛杉矶分校研究小组最新研制出一种超高强度，非常轻的金属材料，他们使用一种新方法分散和稳定纳米微粒进入熔化状态的镁金属。这种新型
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Littelfuse宣布投资碳化硅技术
Littelfuse公司日前宣布作为公司强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措，Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith Semiconductor公司进行了投资。 碳化硅是一种发展迅速的新兴半导体材料，与传统硅相比，能使功率元件在较高的切换频率和温度下工作。 这让逆变器和其他能源转换系统能够实现更高的功率密度、能源效率并降低成本。
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Littelfuse宣布投资碳化硅技术
21ic讯 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布作为公司强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措，Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司
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业界首款全SiC功率模块问世：开关效率提升10倍
集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块的诞生更加确立了CREE公司在碳
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Qorvo GaN产能即将实现翻倍
21ic讯 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布，已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集
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效率达98.7%的电动车DC-DC转化器
日前，由赛车运动及技术公司Prodrive领导的合作联盟宣布成功研制出一种可应用于电动车的基于碳化硅的多端口DC-DC转化器。该碳化硅多端口 DC-DC转化器可以控制利用多种能
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我国第3代半导体被垄断 国防所需受限
由于我国在第三代半导体材料相关研究领域起步较晚，目前在材料的自主制备上仍面临难关。同时，我国对基础的材料问题关注度不够;一旦投入与支持的力度不够，相关人才便很难被吸引，人才队伍建设的问题也将逐渐成为发
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新闻大爆炸：大突破！国产6英寸碳化硅晶片打破国外垄断
1、大突破!国产6英寸碳化硅晶片打破国外垄断不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅
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国产6英寸碳化硅晶片诞生 打破国外垄断
日前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
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英飞凌主导的“NeuLand” 研究项目可将电路中的能耗降低35%
新型半导体材料意味着个人电脑、平板电视、服务器和电信系统所采用的开关模式电源可降低50%能耗，让太阳能逆变器变得更加紧凑，成本效益更高。由英飞凌科技股份公司主导的“NeuLand” 研究项目的合作公司开发出高度集
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英飞凌推出第五代1200V thinQ碳化硅肖特基二极管
英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ在升压拓扑和功率因素校正（PFC）升压拓扑中结合新的1200V thinQ碳化硅肖特基二极管和英飞凌出类拔萃的1200V Highspeed3 IGBT能够全面提升系统性能。相比于采用传统硅二极管
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英飞凌推出第五代1200V thinQ! 碳化硅肖特基二极管
21ic讯 英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其
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天域半导体投1.8亿联合中科院研究碳化硅
【导读】记者从东莞市天域半导体科技有限公司获悉，该公司投资碳化硅(SiC)材料这一高科技领域，连续砸进1.8亿元，正与中科院半导体研究所联合，进行“第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化”，是我国首家、全球第
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东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容
21ic讯 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其 650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现
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