位于法国巴黎的伯克利传感器和执行器中心(BSAC)将于2012年1月29日举办研讨会。此次研讨会将介绍采用碳化硅和氮化铝制造MEMS无线传感器的目前研究情况以及未来展望,以应对低端恶劣环境下MEMS的应用。这些传感器正在
论是正面还是负面消息,LED无疑是今年最热门的词汇之一。之前,素有中国LED之城的深圳出现了一股LED厂商倒闭潮;如今,受《关于逐步禁止进口和销售普通照明白炽灯的公告》等利好政策的出台,以及“中国逐步淘汰
论是正面还是负面消息,LED无疑是今年最热门的词汇之一。之前,素有中国LED之城的深圳出现了一股LED厂商倒闭潮;如今,受《关于逐步禁止进口和销售普通照明白炽灯的公告》等利好政策的出台,以及“中国逐步淘汰
按照led上游材料制备所用的衬底划分,目前已实现产业化的有三种技术路线,即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。其中前两条技术路线的核心专利主要掌握在日亚、丰田合成、科锐、欧司朗、
据美国物理学家组织网11月3日(北京时间)报道,最近,美国加利福尼亚大学圣芭芭拉分校物理学家发现,碳化硅中包含的晶格缺陷可以在量子力学水平被操控作为一种室温下的量子比特来使用,这一发现使碳化硅有望成为下一
碳化硅功率器件市场领先者科锐公司继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出的1200V Z-Rec
21ic讯 碳化硅功率器件市场领先者科锐公司继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出的1200V Z
21ic讯 碳化硅功率器件市场领先者科锐公司继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出的1200V Z
美国空军研究实验室(AFRL)已完成了其“经济上可承受的武器数据链插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion,AWDI)研究项目。该项目由AFRL、罗克韦尔•柯林斯公司和Nitronex公司联合完成,目标是改进武器数
美国空军研究实验室(AFRL)已完成了其“经济上可承受的武器数据链插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion,AWDI)研究项目。该项目由AFRL、罗克韦尔•柯林斯公司和Nitronex公司联合完成,目标是改
1987年,6位年轻人在美国的北卡罗来纳州创立了科锐(CREE)公司,他们想将一种叫做“碳化硅”的材料进行商业开发,这就是以“碳化硅”为基础材料的led所肇始的照明革命最开始的故事。从此,这家初创公司开始了长达2
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线,此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线,未来预计在2012年春季开始量产。富士电机将
富士电机于2011年会计年度(2010年4月~2011年3月)对功率半导体的投资额高达185亿日圆(约2.4亿美元),约占该公司总投资额的一半。士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线,此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线,未来预计在2012年春季开始量产。富士电机将
位于美国北卡罗来纳州德罕的Cree公司,2011财年(截至6月26日)营收创纪录的达到9.876亿美元,相比2010财年的8.673亿美元,增长了14%。此外,2011财年第四季度收入为2.43亿美元,尽管与上年第四季度2.646亿美元的收入相
转播到腾讯微博 东莞,正发动一场科技创新促进产业转型升级和转变经济发展方式的“诺曼底登陆”。东莞市科学技术局局长何跃沛昨日接受南都记者专访时介绍,一份支撑和引领东莞市经济社会发展的科技创新的专
碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推
21ic讯 科锐公司日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列
21ic讯 科锐公司日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列
经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。 该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园,目前已签订租赁协议。该项