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LED产业或摆脱产能过剩“窠臼”
LED产业正在走出产能过剩的问题，2014年将重启设备投资并扩大产能。根据国际半导体设备与材料组织(SEMI)的季度预测报告，LED晶片制造设备的投资在经历连续下降之后，到明年将上升17%，达到12亿美元。设备投资也将呈现
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LED产业将脱离产能过剩趋于稳定
LED产业正在走出产能过剩的问题，2014年将重启设备投资并扩大产能。根据国际半导体设备与材料组织(SEMI)的季度预测报告，LED晶片制造设备的投资在经历连续下降之后，到明年将上升17%，达到12亿美元。设备投资也将呈现
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器
科锐公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣锐特科技有限公司宣布：欣锐特最新推出的高效混合动力车/电动车（HEV/EV）功率变换器中采用科锐1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高达96%，实现业界领先。欣锐特是一
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车
科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器，实现业界领先的96%效率 欣锐特与科锐密切合作，设立一流电动汽车功率变换器的新标杆 2013 年 11月 18日，科锐公司(Nasdaq: CREE)和深圳欣锐特科技有限公
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Microsemi 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列 推出全新的650V解决方案产品系列
新器件以紧凑的占位面积实现系统效率提升21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄
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日本萨姆肯公司推出新型SiC加工处理生产刻蚀系统
LED半导体照明网讯 日本上市公司萨姆肯（Samco）发布了新型晶片盒生产蚀刻系统 ，处理SiC加工，型号为RIE-600iPC。系统主要应用在碳化硅功率仪器平面加工、SiC MOS结构槽刻蚀形成晶圆刻蚀SiC和SiO2掩膜刻蚀
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东芝扩充碳化硅肖特基势垒二极管系列
21ic讯 东芝公司宣布将扩充其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列，为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。SBD适用于多种应用
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道康宁CEO：中国“硅”市场潜力无限
1973年，道康宁在香港设立首个亚洲办事处。以此为起点，道康宁在大中华区开始了快速发展。9月24日，在道康宁大中华区40周年庆典之际，记者采访了专程来华的道康宁总裁兼首席执行官韩山柏(Robert.DHansen)先生。与中国
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道康宁CEO：中国“硅”市场潜力无限
1973年，道康宁在香港设立首个亚洲办事处。以此为起点，道康宁在大中华区开始了快速发展。9月24日，在道康宁大中华区40周年庆典之际，记者采访了专程来华的道康宁总裁兼首席执行官韩山柏(Robert.DHansen)先生。与中国
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白光LED专利防御与运营研究
LED半导体照明网讯 LED专利领域全球专利超过12万件，核心专利主要在国外企业手中，中国企业在技术和专利方面落后于国外企业。以LED前端为例，目前国内已授权的约470件外延专利中有超过350件是国外企业所申请
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东芝扩充碳化硅肖特基势垒二极管系列
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布将扩充其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列，为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。SBD适用于多种应用，
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ST推出改进版串联二极管，提供经济的碳化硅二极管替代方案
21ic讯意法半导体推出第二代串联二极管(tandem diodes)，让设计人员以高成本效益的方式提升设备能效，目标应用包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。与第一代产品相比，新的二极管产品降低了反向恢复电荷(QR
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晶能光电“中国芯”逆袭 打破核心专利寡头梦魇
最艰苦、最难熬!这是中国LED业界对2012年的评价。因行业盲目扩张、扩产，大量LED企业价格下跌、利润大幅下滑。这一年，LED上游企业产能利用率仅50%左右。然而，也是在这一年，晶能光电实现销售额5亿元。接下来的2013
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半导体照明产业的新血液：碳化硅衬底
【导读】对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。 摘要： 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合
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新型材料在LED行业热管理的应用
“十二五”七大战略性新兴产业发展规划和地方节能环保LED照明推广政策的出台，为LED照明带来重大发展契机。据行业报告显示，我国LED照明行业市场规模从2008年至2012年由不足140亿增长至约800亿，增长率约484%，预计2
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GT Advanced Technologies推出碳化硅炉新产品线
21ic讯 GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径
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GT Advanced Technologies推出碳化硅炉新产品线
新罕布什尔州，纳舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大
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Mouser推出Cree公司的业界首款1200V高频碳化硅半电桥模块
在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管21ic讯 Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1，这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特
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重新应用 BJT：在光伏逆变器中运用新型SiC BJT 可实现更低的系统成本
最近，碳化硅 (SiC) 的使用为 BJT 赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的器件。SiC BJT 运用在光伏电源转换器中时，可实现良好效率，并且（也许更重要的是）能够使用更小、更便宜的元件，从而在系统级别上显著降低成本。
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科锐宣布量产第二代碳化硅 MOSFET器件
显著降低电源转换系统成本 新型器件可提供双倍A/$ 碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器
wangshujun
瞎折腾
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