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台积电3nm工艺进展顺利 2nm工艺2024年量产
随着高通骁龙865使用台积电N7+工艺量产，台积电的7nm工艺又多了一个大客户，尽管三星也抢走了一部分7nm EUV订单，不过整体来看台积电在7nm节点上依然是抢占了最多的客户订单，远超三星。 接下来
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台积电：2022年量产3nm工艺 提前一年
虽然半导体工艺提升越来越困难，但是被誉为天字一号代工厂的台积电，这几年却仿佛打了鸡血，进展神速，让Intel、三星都望尘莫及。 现在，台积电7mm工艺已经大范围普及，几乎成为旗舰乃至主流芯片的标配，率
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拿下30万平土地：台积电年底开建3nm晶圆工厂
在三星上周纸面预览了其3nm工艺后，台积电也毫不示弱，业内人士称，台积电年底前会敲定南部科技园的30公顷土地（30万平米），随后启动3nm晶圆厂的建设。 目前，台积电的12寸超大晶圆厂有六座，分别是总
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三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能大涨35%
尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm工艺明年就完成开发了。 三星在10n
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全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿投资
随着三星加快7nm EUV工艺量产，台积电领先了一年的7nm先进工艺今年会迎来激烈竞争，IBM、NVIDIA以及高通都要加入三星的7nm EUV阵营了。 在先进工艺路线图上，台积电的7nm去年量产，7
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无惧日本制裁 三星将如期展示3nm GAA工艺最新进展
本月4日起，日本宣布管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这三种重要原材料，此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机，三星等公司更是急于获得稳定的原料来源，否则旗下的存储芯片、面板生产都会停产
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台积电：3nm工艺进展顺利 已有客户参与
如今在半导体工艺上，台积电一直十分激进，7nm EUV工艺已经量产，5nm马上就来，3nm也不远了。 台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露，台积电的N3 3nm工
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台积电：3nm EUV工艺进展顺利 已开始接触早期客户
尽管 10 nm 以下芯片制造工艺的突破已经愈加艰难，但以台积电为代表的业内领先企业，并没有因此而放缓研发的步伐。该公司上周表示，其 3nm 工艺的开发进展顺利。目前看来，台积电已经摸清了道路，且已经开始接触早期客户。在面向投资者和金融分析师的电话会议上，台积电首席执行官兼联合主席 CC Wei 宣布了这一消息。
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三星计划2021年推GAA技术3纳米制程
在先进制程的发展上，台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然，台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米制程。不过，三星也不甘示弱，预计透过新技术的研发，在 2021 年推出 3 纳米制程的产品。根据三星表示，其将推出的 3 纳米制程产品将比当前的 7 纳米制程产品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，而且芯片的面积也再减少 45%。
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三星2021年将量产3nm芯片，路线图已公布！
导语：近日，三星在Samsung Foundry Forum大会上，宣布了一个重磅炸弹，那就是其3nm Gate-All-Around（GAA）工艺已经在开发中了，与7nm技术相比，三星的3GAE工艺将减少45％
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强化代工业务，三星下半年量产7nm EUV工艺，2021年推3nm GAA工艺
为了弥补存储芯片降价周期带来的影响，三星早就开始强化代工业务了，要赶超台积电，而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说，他们今年下半年会量产7nm EUV工艺，2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。
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看三星半导体工艺路线图！明年5nm，后年3nm！
随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资，全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了，不过英特尔可以排除在代工厂之外，其他无晶圆公司可选的只
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台积电迈向3nm进程 投资6000亿新台币建厂
台湾地区环保部门15日初审通过台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计划环差案，该案主要是科技部因应台积电3nm厂投资计划提出环境差异分析报告。台积电预计投资逾6000亿元新台币(约合195亿美元)以上兴建3nm厂，2020年动工，最快2022年底量产。
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台积电预投195亿美元兴建3nm厂
根据规划，台积电3nm案预计使用南科28公顷用地，并紧临台积电5nm厂，科技部预订在2020年中交地给台积电盖厂房。
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台媒：台积电计划2022年开始量产3nm芯片
台积电在8月14日宣布，公司董事会已批准了一项约45亿美元的资本预算。未来将会使用该预算来修建新的晶圆厂，而现在中国台湾媒体报道称，台积电计划2020年开始建造3nm制程的晶圆厂，希望能够在2022年实现3nm制程芯片的量产。
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线宽微缩总有极限 集成电路仍有发展空间
半导体工艺的线宽微缩总有一个极限，这也意味着指导半导体业界发展50多年的摩尔定律终归有失效的时候，目前公认的说法是3nm以下就不再起作用了。不过线宽微缩只是集成电路发展的一个方向，集成电路依然有别的突破口。
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三星计划2021年量产采用3nm制程节点的GAA电晶体
三星重申计画在今年下半年开始使用EUV微影技术实现量产的计划，它将采用其7nm Low Power Plus制程进行制造。三星预计将成为第一家将业界多年来寄予厚望的EUV投入商业化生产的晶片制造商。台积电和Globalfoundries宣布计画于2019年开始使用EUV进行商业化生产。
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Imec 与 Cadence 成功流片首款 3nm 测试芯片
全球领先的纳米电子与数字技术研发创新中心 imec 与楷登电子(美国 Cadence 公司)今日联合宣布，得益于双方的长期深入合作，业界首款 3nm 测试芯片成功流片。
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联发科：摩尔定律的极限为3nm
摩尔定律是半导体的经典理论之一，提出者是Intel联合创始人戈登摩尔，他断言“大约每两年，晶体管密度就会增加1倍”。在今年9月份的“精尖制造日”上，Intel对外重申，摩尔定律在可观察的未来都不会失效。同时，他们还将摩尔定律解释为一种经济视角，即每两年，单位晶体管的成本会缩减1半。
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台积电已考虑3nm工艺，工厂将在台湾地区建造
台积电已经成立30年了，之前我们也看到，苹果的COO也出席了台积电成立30周庆典，而杰夫·威廉姆斯还赞扬了该企业与苹果开发A11仿生芯片之间的亲密关系。 说到A11仿
