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三星2021年将量产3nm芯片，路线图已公布！
导语：近日，三星在Samsung Foundry Forum大会上，宣布了一个重磅炸弹，那就是其3nm Gate-All-Around（GAA）工艺已经在开发中了，与7nm技术相比，三星的3GAE工艺将减少45％
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强化代工业务，三星下半年量产7nm EUV工艺，2021年推3nm GAA工艺
为了弥补存储芯片降价周期带来的影响，三星早就开始强化代工业务了，要赶超台积电，而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说，他们今年下半年会量产7nm EUV工艺，2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。
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看三星半导体工艺路线图！明年5nm，后年3nm！
随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资，全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了，不过英特尔可以排除在代工厂之外，其他无晶圆公司可选的只
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台积电迈向3nm进程 投资6000亿新台币建厂
台湾地区环保部门15日初审通过台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计划环差案，该案主要是科技部因应台积电3nm厂投资计划提出环境差异分析报告。台积电预计投资逾6000亿元新台币(约合195亿美元)以上兴建3nm厂，2020年动工，最快2022年底量产。
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台积电预投195亿美元兴建3nm厂
根据规划，台积电3nm案预计使用南科28公顷用地，并紧临台积电5nm厂，科技部预订在2020年中交地给台积电盖厂房。
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台媒：台积电计划2022年开始量产3nm芯片
台积电在8月14日宣布，公司董事会已批准了一项约45亿美元的资本预算。未来将会使用该预算来修建新的晶圆厂，而现在中国台湾媒体报道称，台积电计划2020年开始建造3nm制程的晶圆厂，希望能够在2022年实现3nm制程芯片的量产。
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线宽微缩总有极限 集成电路仍有发展空间
半导体工艺的线宽微缩总有一个极限，这也意味着指导半导体业界发展50多年的摩尔定律终归有失效的时候，目前公认的说法是3nm以下就不再起作用了。不过线宽微缩只是集成电路发展的一个方向，集成电路依然有别的突破口。
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三星计划2021年量产采用3nm制程节点的GAA电晶体
三星重申计画在今年下半年开始使用EUV微影技术实现量产的计划，它将采用其7nm Low Power Plus制程进行制造。三星预计将成为第一家将业界多年来寄予厚望的EUV投入商业化生产的晶片制造商。台积电和Globalfoundries宣布计画于2019年开始使用EUV进行商业化生产。
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Imec 与 Cadence 成功流片首款 3nm 测试芯片
全球领先的纳米电子与数字技术研发创新中心 imec 与楷登电子(美国 Cadence 公司)今日联合宣布，得益于双方的长期深入合作，业界首款 3nm 测试芯片成功流片。
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联发科：摩尔定律的极限为3nm
摩尔定律是半导体的经典理论之一，提出者是Intel联合创始人戈登摩尔，他断言“大约每两年，晶体管密度就会增加1倍”。在今年9月份的“精尖制造日”上，Intel对外重申，摩尔定律在可观察的未来都不会失效。同时，他们还将摩尔定律解释为一种经济视角，即每两年，单位晶体管的成本会缩减1半。
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台积电已考虑3nm工艺，工厂将在台湾地区建造
台积电已经成立30年了，之前我们也看到，苹果的COO也出席了台积电成立30周庆典，而杰夫·威廉姆斯还赞扬了该企业与苹果开发A11仿生芯片之间的亲密关系。 说到A11仿
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台积电拟斥资逾超200亿美元建3纳米工厂
台积电（TSMC）要稳坐产业龙头位置，付出的成本将变得愈来愈高了。
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势不可挡！台积电宣布建设3nm晶圆厂
作为业界代工行业的领头羊，台积电之前就已经宣布即将投产7nm制程工艺，而现在台积电又宣布将会在台湾建设全新的3nm晶圆厂，开始冲击半导体的物理极限。
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要想留住台积电3nm厂，这些问题不解决是不行滴
据了解，台积电最尖端的3纳米新厂扩建计划虽然要到明年上半年才会公布设厂地点，惟仍有环评、电力、用水、设厂地点等四大问题需要政府尽速解决。
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台积电自曝3nm工艺：首选台湾 其次美国
作为全球第一大代工厂，台积电无疑是台湾的骄傲，但因为种种原因，台积电正在考虑赴美建厂，尤其是未来的3nm工艺，有消息称很可能要移师美国，台积电董事长张忠谋也曾明说不排除在美国建厂的可能。不过今天，台积电
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台积电打算兴建晶圆厂 目标2022年率先导入3nm
晶圆代工大厂台积电(TSMC)表示，该公司打算兴建下一座晶圆厂，目标是在2022年领先市场导入5纳米到3纳米制程节点。
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台积电投资5千亿在3nm，5nm制程，或将于2022年量产
近日，台积电新闻发言人表示，新生产设施的投资额超过5000亿元新台币(157亿美元)，新工厂将能生产全世界最先进的芯片。
