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14nm工艺制程竞赛：“六仙”过海 各显神通
摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，
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14nm是全球半导体工艺的一个“坎”？
尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不会盲目跟进
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14nm是全球半导体工艺的一个“坎”？
尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不会盲目跟进
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14nm纳米是半导体工艺的一个“坎”
尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不
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14nm是全球半导体工艺的一个“坎”？
尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不会盲目跟进
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ASML：量产型EUV机台2015年就位
极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆
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ASML：量产型EUV机台2015年就位
极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆
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14nm是全球半导体工艺的一个“坎”？
尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不会盲目跟进
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14nm是全球半导体工艺的一个“坎”？
尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不
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台积电加573亿先进制程 主攻20nm及FinFET
晶圆龙头台积电13日董事会通过573.65亿元资本支出，连同上次核准金额，合计为2033.65亿元，约占台积电全年资本支出上限100亿美元的68%，显示台积电加速先进制程脚步。台积电将今年资本支出上修至95至100亿美元(约新台
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联电与IBM携手合作 积极争取14/10奈米FinFET制程主导权
联电近期与IBM签订合作计划，全力冲刺14和10奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程量产。不过，联电也不忘记取当初发展0.13微米时，授权IBM方案却面临量产窒碍难行，反遭台积电大幅超前进度的教训;此次在14/10奈米的合作仅
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确保与IBM合作有成 联电紧握14/10nm主导权
联电近期与IBM签订合作计划，全力冲刺14和10奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程量产。不过，联电也不忘记取当初发展0.13微米时，授权IBM方案却面临量产窒碍难行，反遭台积电大幅超前进度的教训；此次在14/10奈米的合作仅
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英盛德：FinFET技术日趋盛行 利益前景可观
英格兰锡尔--(美国商业资讯)--世界领先的系统到芯片集成电路设计咨询公司之一的英盛德认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为集成电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受益。工程部副总
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确保与IBM合作有成 联电紧握14/10nm主导权
联电近期与IBM签订合作计划，全力冲刺14和10奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程量产。不过，联电也不忘记取当初发展0.13微米时，授权IBM方案却面临量产窒碍难行，反遭台积电大幅超前进度的教训;此次在14/10奈米的合作仅
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确保与IBM合作有成 联电紧握14/10nm主导权
联电近期与IBM签订合作计划，全力冲刺14和10奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程量产。不过，联电也不忘记取当初发展0.13微米时，授权IBM方案却面临量产窒碍难行，反遭台积电大幅超前进度的教训；此次在14/10奈米的合作仅
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FinFET技术日趋盛行为电路设计商带来新挑战
据国外媒体报道，英盛德(Sondrel)认为FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：「最近，在德州召开的设计自动
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英盛德：FinFET技术日盛 前景可观
根据美国商业资讯报导，世界领先的系统到晶片积体电路设计顾问公司之一的英盛德(Sondrel)认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。工程部副
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英盛德：FinFET技术日盛 前景可观
根据美国商业资讯报导，世界领先的系统到晶片积体电路设计顾问公司之一的英盛德(Sondrel)认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。 工程
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与IBM攻10纳米 联电强化竞争力
联电（2303）执行长颜博文昨（7）日表示，联电跳过20纳米，与IBM合作14纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程，近期更加入IBM 10纳米FinFet CMOS联盟，将缩短和竞争对手在先进制程差距。 联电昨天公布第2季约当8寸晶圆
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FinFET复杂度破表 半导体设备商投资不手软
鳍式电晶体(FinFET)制程将带动新一波半导体设备投资热潮。由于FinFET导入立体式电晶体结构，使得晶圆制程中的蚀刻和缺陷检测复杂度较以往大幅攀升，因此包括科林研发(Lam Research)和东京威力科创(TEL)等半导体设备大
