-
Synopsys携手台积电扩大客制化设计合作至16nm制程
新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化设计解决方案，通过台积电16奈米FinFET制程设计规则手册(Design Rule Manual， DRM)第0.5版认证，同时，也将纳入台积电16nm可相互操作制程设计套件(interoperable pro
-
台积/Synopsys扩大客制化设计合作至16nm制程
全球晶片设计及电子系统软体暨IP领导厂商新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化设计解决方案，通过台积电(2330)16奈米FinFET制程设计规则手册(Design Rule Manual， DRM)第0.5版认证，同时，也将纳入台积电
-
台积/Synopsys扩大客制化设计合作至16nm制程
全球晶片设计及电子系统软体暨IP领导厂商新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化设计解决方案，通过台积电(2330)16奈米FinFET制程设计规则手册(Design Rule Manual， DRM)第0.5版认证，同时，也将纳入台积电
-
台积电谈尖端工艺：16nm FinFET芯片的开发订单数已超过20nm
台积电从20nm级开始只采用一种工艺。在20nm以前的级别中，会根据用途准备多种工艺，比如，28nm就有“HP”、“HPM”、“HPL”以及“LP”工艺。而20nm只有“20SOC”一种工艺。据介绍，20SOC是在28nm工艺中备受好评的、
-
台积 拿回阿尔特拉订单
业界传出，受英特尔先进制程进度不如预期影响，今年初「变心」转单英特尔的台积电老客户阿尔特拉（Altera），近期回头找台积电支持，使得台积电先进制程面临「爆单」，最快明年第2季展现业绩强劲爆发力。 随着大客
-
台积电谈尖端工艺：16nm FinFET芯片的开发订单数已超过20nm
台积电从20nm级开始只采用一种工艺。在20nm以前的级别中，会根据用途准备多种工艺，比如，28nm就有“HP”、“HPM”、“HPL”以及“LP”工艺。而20nm只有“20SOC”一种工艺。据介绍，20SOC是在28nm工艺中备受好评的、
-
研究人员开发出整合III-V族与矽材料的3DFinFET半导体
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS 至7nm 及其以下，以及实现混合CMOS-RF 与CMOS 光电元件的化合物
-
新开发FinFET整合III-V族与矽材料
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着
-
研究人员开发出整合III-V族与矽材料的3DFinFET半导体
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS 至7nm 及其以下，以及实现混合CMOS-RF 与CMOS 光电元件的化合物
-
IMEC新开发整合III-V族与矽晶的3D FinFET半导体
讯：比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS 至7nm 及其以下，以及实现混合CMOS-RF 与CMOS 光电元件的化
-
新开发FinFET整合III-V族与矽材料
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩 CMOS 至 7nm 及其以下，以及实现混合 CMOS-RF 与 CMOS 光电元件的化
-
三星正在研究10nm工艺：终上极紫外光刻
硅半导体工艺的极限在哪里?至少短期内，各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm，更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管)，去年底就已经取得重大突破，完成了
-
三星正在研究10nm工艺：终上极紫外光刻
硅半导体工艺的极限在哪里?至少短期内，各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm，更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管)，去年底就已经取得重大突破，完成了
-
三星正在研究10nm工艺 同时初步尝试EUV技术
硅半导体工艺的极限在哪里？至少短期内，各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm，更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管)，去年底就已经取得重大突破，
-
台积电工业：晶圆20nm已投产16nm正研发
讯：台积电将在2014年初批量投产20nm工艺，并已完成多款产品的流片，而一年之后就会再量产16nm FinFET。今日台积电又首次向公众展示了这两代工艺下的最新晶圆。这是20nm SoC工艺的晶圆。我们知道，台积电的20n
-
台积电晶圆展：20nm已投产 16nm正研发
台积电将在2014年初批量投产20nm工艺，并已完成多款产品的流片，而一年之后就会再量产16nm FinFET。今日台积电又首次向公众展示了这两代工艺下的最新晶圆。这是20nm SoC工艺的晶圆。我们知道，台积电的20nm分为两种版
-
Imec首次在300mm晶圆上实现三五族化合物FinFET器件
Imec Demonstrates World’s First III-V FinFET Devices Monolithically Integrated on 300mm Silicon Wafers Technology Achievement Marks Significant Step Towards Monolithic Heterogeneous Integration an
-
先进工艺竞争加剧 各大巨头纷纷出招应对
摩尔定律遇到瓶颈、先进工艺投资如同“无底洞”，代工厂在先进工艺的巨大投入与回报之间如何取舍，在性能、成本、尺寸之间如何权衡，选择哪一种道路持续精进，或许未来的格局就在今时的选择埋下伏笔。大陆
-
FD SOI与FinFET的先进节点之战
FD SOI（全耗尽型SOI）最近重新进入业界关注的焦点。Intel、TSMC等企业已决定在22、14nm节点走向FinFET之路；而作为FD SOI技术的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，认为在先进节点上FD SOI
-
博通推伺服器级多核CPU 采16奈米FinFET制程
网通晶片大厂博通(Broadcom)宣布，推出次世代多核心处理器，採用业界最高效能64位元ARM核心，并将採先进的16奈米FinFET製程生产。博通指出，是利用ARMv8-A架构授权，开发出此款创新的CPU处理器，为网路功能虚拟化(Ne
