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联电将跳过20nm 专攻FinFET

联电将跳过20纳米(nm)制程节点，全力卡位14纳米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20纳米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联电已计划在量产28纳米后，直接跨过20纳米节点，加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世

电子设计自动化
2013-08-06

联电 FINFET 处理器三星
不玩20nm了联电集中火力进攻14纳米FinFET世代

联电将跳过20纳米(nm)制程节点，全力卡位14纳米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20纳米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联电已计划在量产28纳米后，直接跨过20纳米节点，加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世

电子设计自动化
2013-07-31

台积电联电 FINFET 三星
联电跨过20nm加速研发14nmFinFET

联电将跳过20纳米(nm)制程节点，全力卡位14纳米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20纳米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联电已计划在量产28纳米后，直接跨过20纳米节点，加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世

模拟
2013-07-31

台积电联电 FINFET 三星
集中火力攻FinFET 联电确定不玩20纳米

联电将跳过20纳米(nm)制程节点，全力卡位14纳米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20纳米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联电已计划在量产28纳米后，直接跨过20纳米节点，加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世

电子设计自动化
2013-07-31

台积电联电 FINFET 三星
晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛

一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米

电子设计自动化
2013-07-30

晶圆厂格罗方德电晶体 FINFET
集中火力攻FinFET　联电确定不玩20奈米

联电将跳过20奈米(nm)制程节点，全力卡位14奈米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20奈米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联电已计划在量产28奈米后，直接跨过20奈米节点，加速挺进更具投资效益的14奈米FinFET世

模拟
2013-07-30

格罗方德联电 FINFET 三星
缩短开发时程晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后

模拟
2013-07-26

晶圆厂格罗方德电晶体 FINFET
晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛

一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后

电子设计自动化
2013-07-26

晶圆厂格罗方德电晶体 FINFET
Altera欲凭借14nm Trigate引领高端FPGA

日前，Altera公布了其2013年二季度营收，总收入为421.8亿美元，环比增长3%，同比却下降9%。其净利润为1.015亿美元，环比下降16%，同比则下降38%。由于种种问题，Stratix V的销量不升反降，环比下降22%，而新产品Arri

电子设计自动化
2013-07-26

Xilinx Altera FPGA FINFET
市场竞争激烈晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后

模拟
2013-07-26

晶圆厂格罗方德电晶体 FINFET
缩短开发时程晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后

电子设计自动化
2013-07-26

晶圆厂格罗方德电晶体 FINFET
缩短开发时程　晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后

模拟
2013-07-24

晶圆厂格罗方德电晶体 FINFET
FinFET改变战局台积将组大联盟对抗三星/Intel

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化

模拟
2013-07-24

Intel 台积电 FINFET 三星
赛灵思CEO：新产品助力公司毛利创新高

日前，赛灵思公布了2014第1季度财报：营收环比上涨9%至5.79亿美元;每股稀释盈余达0.56美元;毛利率由前季的66%上升至历史新高69%。以下为赛灵思CEO Moshe N. Gavrielov的讲话：我们之所以有如此令人兴奋的收入，主要来

电子设计自动化
2013-07-24

赛灵思 ASIC CE FINFET
强化FinFET市场竞争力台积电欲组团抗三星/Intel

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化

电子设计自动化
2013-07-24

Intel 台积电 FINFET 三星
FinFET改变战局台积将组大联盟抗三星/Intel

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(GrandAlliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化(

模拟
2013-07-23

Intel 台积电 FINFET 三星
FinFET改变战局台积将组大联盟抗三星/Intel

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化

消费电子
2013-07-23

Intel 台积电 FINFET 三星
FinFET改变战局台积将组大联盟抗三星/Intel

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化

电子设计自动化
2013-07-23

Intel 台积电 FINFET 三星
FinFET改变战局　台积将组大联盟抗三星/Intel

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化

模拟
2013-07-22

Intel 台积电 FINFET 三星
抢攻FinFET设计商机　益华发布新Virtuoso平台

益华(Cadence)针对28奈米以下制程及鳍式场效电晶体(FinFET)制程发布最新版Virtuoso布局(Layout)设计套件，该套件具备电子意识设计(Electrically Aware Design, EAD)功能，可以协助行动装置积体电路(IC)设计商缩短产品

消费电子
2013-07-17

工程师晶片 VIRTUOSO FINFET

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FINFET

联电将跳过20nm 专攻FinFET

不玩20nm了联电集中火力进攻14纳米FinFET世代

联电跨过20nm加速研发14nmFinFET

集中火力攻FinFET 联电确定不玩20纳米

晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛

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缩短开发时程晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛

Altera欲凭借14nm Trigate引领高端FPGA

市场竞争激烈晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

缩短开发时程晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

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FinFET改变战局台积将组大联盟抗三星/Intel

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抢攻FinFET设计商机　益华发布新Virtuoso平台

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