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Finfet+平面型架构混合体：传Intel近期将公布22nm节点制程工艺细节
据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂 直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构。消息来源还称Intel&ldq
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传Intel近期将公布22nm节点制程工艺细节
据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂 直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构。消息来源还称Intel“很
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台积电宣布已开发出22/20nm Finfet双门立体晶体管制程
据electronicsweekly网站报道，台积电公司近日宣称已经开发出一套采用Finfet双门立体晶体管技术制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已经采用这种制程造出了面积仅0.1平方微米的SRAM单元(内含6个CMOS微晶体管)，据称这种
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非一般的晶体管
“一个蝴蝶可以刮起一阵风，一个士兵可以开始一场战争”，那么一项伟大的发明呢？1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。于是乎，大名鼎鼎的、
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22nm以后的有力候选：FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布
22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质，易于控制特性的不均现象
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台积电让大家感到惊奇的7件事
象过去多年来一样, 在今年的会上台积电也爆出让人感到惊奇的新工艺技术。它的新工艺路线图, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等领域。以下是在一天的会中对于会议的观察及感受；1,Morris张去年79岁高令重新执掌台积电, 那时正
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ATDF为Elpida开展FinFET存储器研究
Sematech产业联盟的全资子公司Advanced Technology Development Facility(ATDF)已经同意为Elpida Memory公司生产基于FinFET以及新型存储器技术的晶圆。 ATDF与日本的主要DRAM制造商Elpida公司达成了两个项目协议，评
