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Altera副总裁：“14nm工艺FPGA的代工只委托英特尔”

美国阿尔特拉（Altera）于2013年2月25日宣布，决定把14nm工艺FPGA的生产委托给美国英特尔（参阅本站报道）。3月1日，阿尔特拉产品和企业营销及技术服务副总裁VinceHu在东京通过电话会议系统，向新闻媒体介绍了该制造

模拟
2013-03-06

Altera FPGA 英特尔 FINFET
Altera副总裁：“14nm工艺FPGA的代工只委托英特尔”

美国阿尔特拉(Altera)于2013年2月25日宣布，决定把14nm工艺FPGA的生产委托给美国英特尔【详情】。3月1日，阿尔特拉产品和企业营销及技术服务副总裁Vince Hu在东京通过电话会议系统，向新闻媒体介绍了该制造委托协议。

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2013-03-06

Altera FPGA 英特尔 FINFET
美林：台积明年上半恐临「星」挑战

认台积攻20奈米目前仍具逐步发展及选择优势但三星若成功量产14奈米产品恐冲击台积在行动装置的优势半导体三巨头制程战，美林证指三星若能在明年上半成功量产14奈米产品，恐冲击台积目前在行动装置的优势。

模拟
2013-03-02

三星台积电英特尔 FINFET
FPGA进入3D时代 Altera采用英特尔14nm FinFET技术

近日，Altera宣布将采用英特尔14nm FinFET制程代工其最新款FPGA，但是没有披露此次合作包括种类和时间的任何细节。与此同时Altera还声明在开发下一代工艺技术产品上与TSMC进行了深入合作。借由14nm，Altera确立领先地

电子设计自动化
2013-02-27

Altera FPGA 英特尔 FINFET
Synopsys通过提供经生产验证的设计工具与IP来推进对FinFET技术的采用

为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：即日起提供其基于FinFET技术的半导体设计综合解决方案。该解决方

消费电子
2013-02-22

器件 IP SYNOPSYS FINFET
Synopsys通过提供经生产验证的设计工具与IP来推进对FinFET技术的采用

为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：即日起提供其基于FinFET技术的半导体设计综合解决方案。该解决方案包

电子设计自动化
2013-02-21

器件 IP SYNOPSYS FINFET
台积电谈基于FinFET的设计方法：鳍片高度偏差对SRAM影响轻微

在“ISSCC 2013”开幕当天即2月17日（美国时间）举行的“Circuit Design using FinFETs”上，台积电（TSMC）项目总监、首席技术官许炳坚（Bing J. Sheu）发表演讲，介绍了使用FinFET的标准单元、SRAM及模拟电路的设计

模拟
2013-02-20

台积电电源电压 SRAM FINFET
推进FinFET技术 Synopsys提供经生产验证的设计工具与IP

新思科技公司(Synopsys, Inc.)日前宣布：即日起提供其基于FinFET技术的半导体设计综合解决方案。该解决方案包含了一系列DesignWare嵌入式存储器和逻辑库IP，其Galaxy实现平台中经芯片验证过的设计工具，以及晶圆代工

电子设计自动化
2013-02-19

器件 IP SYNOPSYS FINFET
TSMC披露工艺计划和资本支出

2012年第四季度，TSMC的营收已经有22% 来自28纳米业务, 40 纳米的业务也约占22%。 TSMC计划在2013年1月实现20nm SoC工艺的小批量试产。预计2013年11月，16nm的FinFET 3D晶体管的工艺将开始试产。资本支出方面

消费电子
2013-02-19

晶体管 SoC TSMC FINFET
雷声大雨点小？GlobalFoundries称2015年实现真正的10nm

GlobalFoundries虽然也承认自己遇到了一些问题，但并不妨碍对美好前景的展望，比如10nm工艺，就号称会在2015年实现，而且是真正的10nm。GlobalFoundries执行副总裁Mike Noonen在通用平台论坛会议上很内疚地说，该公司

电子设计自动化
2013-02-18

晶体管 MDASH GLOBALFOUNDRIES FINFET
TSMC披露工艺计划和资本支出

2012年第四季度，TSMC的营收已经有22% 来自28纳米业务, 40 纳米的业务也约占22%。TSMC计划在2013年1月实现20nm SoC工艺的小批量试产。预计2013年11月，16nm的FinFET 3D晶体管的工艺将开始试产。资本支出方面，2012年

电子设计自动化
2013-02-18

晶体管 SoC TSMC FINFET
SIP、3D IC和FinFET将并存

三者未来会并行存在，各有千秋，不会出现谁排挤谁的现象。　明导(Mentor)电子科技有限公司亚太区技术总监李润华称，从系统角度看，SIP(系统封装)和3D IC通过堆叠，可以把更多的芯片堆叠在一起，在某种程度上，以前

消费电子
2013-02-17

IC IC设计 SIP FINFET
台积28纳米出货今年翻3倍

台积电今年将投入90亿美元资本支出，明年还会更高，主要即看好28纳米以下先进制程的强劲需求。台积电董事长张忠谋昨（17）日指出，今年28纳米晶圆出货量将是去年3倍，且第1季28纳米毛利率就会优于平均水平，台积电今

模拟
2013-01-18

芯片台积电应用处理器 FINFET
传台积电为苹果神秘产品供货16纳米FinFET芯片

【搜狐数码消息】2013年1月17日消息，DigiTimes Research分析师Nobunaga Chai认为，台积电公司正在为苹果制造一款20nm、集成AP/GPU的芯片。除此之外，分析人士还认为，这家台湾的公司正在为苹果提供一款16nm FinFET芯

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2013-01-18

苹果芯片台积电 FINFET
张忠谋：今年资本支出近9成用于先进产能布建

台积电(2330)今(17日)召开法说会，台积电董事长张忠谋也进一步说明资本支出的运用情形。他重申，台积电目前预估今年的资本支出为90亿美元，当中有88%都将用于28/20奈米、16奈米FinFET制程的产能布建，而5%则用于RD研

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2013-01-17

台积电晶圆厂 ASML FINFET
三星与Synopsys实现首次14纳米FinFET成功流片

新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片。虽然FinFET工艺较传统的平面工艺在功耗与性能上明

电子设计自动化
2013-01-10

晶体管三星 SYNOPSYS FINFET
三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片

　　亮点：该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片(SoC)该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础测试芯片验证了FinFET工艺和Synopsys® DesignWare®嵌入式存储器的

电子设计自动化
2013-01-10

晶体管三星 SYNOPSYS FINFET
三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片

加利福尼亚州山景城，2013年1月— 亮点： ? 该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片（SoC） ? 该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础 ? 测试芯片验证了FinFET工艺和

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2013-01-09

晶体管三星 SYNOPSYS FINFET
三星领先台积 14纳米进化

三星21日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。韩联社报导，三星与安谋(ARM)、益华(Cadence)

消费电子
2012-12-26

三星处理器台积电 FINFET
三星领先台积 14纳米进化

三星21日宣布成功试产第1颗导入3D鳍式场效晶体管（FinFET）的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。韩联社报导，三星与安谋（ARM）、益华（Cadence）、

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2012-12-25

三星处理器台积电 FINFET

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Altera副总裁：“14nm工艺FPGA的代工只委托英特尔”

Altera副总裁：“14nm工艺FPGA的代工只委托英特尔”

美林：台积明年上半恐临「星」挑战

FPGA进入3D时代 Altera采用英特尔14nm FinFET技术

Synopsys通过提供经生产验证的设计工具与IP来推进对FinFET技术的采用

Synopsys通过提供经生产验证的设计工具与IP来推进对FinFET技术的采用

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推进FinFET技术 Synopsys提供经生产验证的设计工具与IP

TSMC披露工艺计划和资本支出

雷声大雨点小？GlobalFoundries称2015年实现真正的10nm

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三星与Synopsys实现首次14纳米FinFET成功流片

三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片

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三星领先台积 14纳米进化

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