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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsu

消费电子
2012-12-25

晶体管 SoC DSO FINFET
Imec与新思科技合作将TCAD应用于10nm FinFET制程

比利时纳米电子研发机构爱美科(Imec)与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技(Synopsys)宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10纳米鳍式电

电子设计自动化
2012-12-25

新思科技 CAD TCA FINFET
三星力拼台积电成功试产14nm FinFET测试芯片

据国外媒体报导，三星与安谋(ARM)、益华(Cadence)、明导(Mentor)与新思(Synopsis)共同合作，成第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台

电子设计自动化
2012-12-25

三星芯片台积电 FINFET
三星领先台积 14纳米进化

三星21日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。韩联社报导，三星与安谋(ARM)、益华(Cadence)、明导

电子设计自动化
2012-12-25

三星处理器台积电 FINFET
Imec与Synopsys携手将TCAD应用于10nm FinFET

比利时纳米电子研发机构爱美科(Imec)与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技(Synopsys)宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10纳米鳍式电

模拟
2012-12-25

SYNOPSYS CAD TCA FINFET
卡位14/16nm市场　晶圆厂加码FinFET研发

全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14纳米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀藉此一新技术，提供IC设计业者效能更佳的制造方案

消费电子
2012-12-24

联电台积电晶圆厂 FINFET
FDSOI技术推进SoC微细化至10nm工艺无需3D晶体管

近日意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技术，使得作为智能手机及平板电脑等移动产品心脏的SoC(systemonachip)，在推动其低成本化和高性能化的微细化

电子设计自动化
2012-12-24

晶体管 SoC DSO FINFET
SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulat

电子设计自动化
2012-12-24

晶体管 SoC DSO FINFET
爱美科与新思携手将TCAD应用于10奈米FinFET

比利时奈米电子研发机构爱美科 ( Imec )与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技( Synopsys )宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10奈米

模拟
2012-12-24

新思科技 CAD TCA FINFET
SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononin

模拟
2012-12-24

晶体管 SoC DSO FINFET
三星领先台积 14纳米进化

三星昨（21）日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管（FinFET）的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。韩联社报导，三星与安谋（ARM）、益华

模拟
2012-12-22

三星处理器台积电 FINFET
阅读秘书／FinFET

3D鳍式晶体管（FinFET）是新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管技术。相较于传统晶体管若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一侧来控制，属于平面式的结构；3D FinFET的闸门，是类似鱼鳍般的三面立体式的设计，能大

模拟
2012-12-22

闸门 CMOS 晶体管 FINFET
三星领先台积 14纳米进化

三星昨（21）日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管（FinFET）的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。韩联社报导，三星与安谋（ARM）、益华（

模拟
2012-12-22

三星处理器台积电 FINFET
三星14nm工艺移动芯片测试成功

据国外媒体报道，三星宣布与 ARM 签署了一项与 14nm FinFET 工艺技术和 IP 库相关的合作协议，并且还成功研发了一些基于 14nm FinFET 工艺的测试处理器芯片。三星称 14nm FinFET 技术是未来发展的方向，未来的

模拟
2012-12-22

三星芯片测试移动芯片 FINFET
三星成功试产14奈米FinFET技术芯片

韩国联合通讯社(Yonhap)、EETimes报导，三星电子(Samsung Electronics Co.)21日宣布，该公司已成功试产出旗下第一颗采用鳍式场效电晶体(FinFET)技术的14奈米制程测试晶片。三星表示，这款测试晶片是和安谋(ARM)、C

模拟
2012-12-22

三星晶片芯片 FINFET
SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononin

模拟
2012-12-21

晶体管 SoC DSO FINFET
晶圆厂积极推进FinFET研发争夺14/16nm市场　

鳍式电晶体(FinFET)已成为晶圆制造业者角逐未来行动通讯市场的关键利器。继格罗方德宣布将于2013年量产14纳米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀藉此一新技术，提供

电子设计自动化
2012-12-21

联电台积电晶圆厂 FINFET
SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

SoC（system on a chip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fully depleted silico

模拟
2012-12-21

晶体管 SoC DSO FINFET
卡位14/16奈米市场晶圆代工厂加码FinFET研发

全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14奈米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀借此一新技术，提供IC设计业者效能更佳的制造方案，

模拟
2012-12-20

晶圆代工联电台积电 FINFET
卡位14/16nm市场　晶圆厂加码FinFET研发

全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14奈米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀藉此一新技术，提供IC设计业者效能更佳的制造方案，

模拟
2012-12-20

联电台积电晶圆厂 FINFET

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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

Imec与新思科技合作将TCAD应用于10nm FinFET制程

三星力拼台积电成功试产14nm FinFET测试芯片

三星领先台积 14纳米进化

Imec与Synopsys携手将TCAD应用于10nm FinFET

卡位14/16nm市场　晶圆厂加码FinFET研发

FDSOI技术推进SoC微细化至10nm工艺无需3D晶体管

SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

爱美科与新思携手将TCAD应用于10奈米FinFET

SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

三星领先台积 14纳米进化

阅读秘书／FinFET

三星领先台积 14纳米进化

三星14nm工艺移动芯片测试成功

三星成功试产14奈米FinFET技术芯片

SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

晶圆厂积极推进FinFET研发争夺14/16nm市场

SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

卡位14/16奈米市场晶圆代工厂加码FinFET研发

卡位14/16nm市场　晶圆厂加码FinFET研发

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