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台积电16纳米FinFET制程明年到来
台积电在10月16日的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nmFinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。台积电与其合作伙伴们表示，用
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台积电16纳米FinFET制程明年到来
台积电在10月16日的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nmFinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。台积电与其合作伙伴们表示，用
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台积电制定20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图
台积电与其合作伙伴们表示，用于20nm和16nmFinFET的双重图形技术对晶片设计人员带来了极大挑战。台积电的发展蓝图大致与竞争对手Globalfoundries类似，都希望能在明年启动20nm制程，2014开始14nmFinFET制程。
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台积电拟携ARM V8进军16nm FinFET
台积电在本周二(10月16日)的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nmFinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。台积电与其合作伙伴们
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台积电拟携ARM V8进军16nm FinFET
台积电在本周二(10月16日)的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nm FinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nm FinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。台积电与其合作伙伴
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台积电拟携ARM V8进军16nm FinFET
台积电(TSMC)在本周二(10月16日)的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nm FinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。台积电与其合
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm准备好了吗?
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen近日接受媒体访问，对有关问题进行了解读。 XM 是 eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm准备好了吗？
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁MichaelNoonen近日接受媒体访问，对有关问题进行了解读。XM是eXtremeMobility的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm准备好了吗？
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen近日接受媒体访问，对有关问题进行了解读。XM 是 eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结构，它
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Globalfoundries的14nm节点仅「小幅微缩」
GlobalFoundries打算在2014年开始量产14XMFinFET制程，该制程旨在降低功耗，但就尺寸来看，与20nm平面块状矽CMOS制程相比，新制程所能减小的晶片尺寸非常少，甚至根本没有减少。Globalfoundries下一代制程名为XM ，意
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紧咬台积电不放 格罗方德后年量产14nm
格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)将于2014年量产14nm方案。为与台积电争抢下一波行动装置晶片制造商机，GLOBALFOUNDRIES将率先导入三维鳍式电晶体(3DFinFET)架构于14nm制程产品中，预计明年客户即可开始投片，后年则可望大
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紧咬台积电不放 格罗方德后年量产14nm
格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)将于2014年量产14奈米(nm)方案。为与台积电争抢下一波行动装置晶片制造商机，GLOBALFOUNDRIES将率先导入三维鳍式电晶体(3D FinFET)架构于14nm制程产品中，预计明年客户即可开始投片，后年则
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格罗方德 跟台积电有拚
晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries）来台呛声，全球营销暨业务执行副总裁Michael Noonen表示，已正式推出结合14纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程的14nm-XM技术，协助客户加快行动装置芯片上市时间。格罗方德指出
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挑战台积电！格罗方德强攻行动市场14奈米明年试产
GLOBALFOUNDRIES(格罗方德)近期持续展现挑战台积电(2330-TW)与英特尔(INTC-US)的企图心。该公司宣称，3D FinFET导入的14奈米元件将于明年导入试产，直接跳过28奈米，要与台积电所称的20奈米SoC应用互别苗头，并锁定行
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GF：3D FinFET技术领先台积电
晶圆代工大厂格罗方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鳍式晶体管（FinFET）导入的14纳米元件，预计2013年试产，2014年量产，“已可直接与英特尔竞争”，技术层次更领先台积电半个世代。 格罗方德由微
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3D FinFET电晶体 大幅减低电流流失 GlobalFoundries 14nm-XM制程架构
针对行动装置市场，提供更细小的面积空间以及减低所需功耗，让行动装置体积得以减少，以及延长电池续航行力，半导体厂商 GlobalFoundries 日前宣布将采用 14nm-XM 制程架构，并首次引入 3D FinFET 电晶体，为立体 (S
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备FinFET晶体管架构
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备的FinFET晶体管架构
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备的FinFET晶体管架构
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路
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GF推出用于下一代移动设备晶体管架构
中国上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技术将为客户展现三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势，不仅风
