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卡位14/16奈米市场晶圆代工厂加码FinFET研发
全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14奈米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀借此一新技术，提供IC设计业者效能更佳的制造方案，
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IC设计跨入SoC时代 重塑价值链引发后摩尔时代变革
2012年IC设计业销售额将达到680.45亿元，同比增长8.98%。中国大陆IC设计业在全球产业中的地位得到进一步巩固，在美国和我国台湾地区之后继续保持第三位。在近日举办的2012中国集成电路设计业年会暨重庆集成电路创新发
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中国IC设计业：深度广度并行 重塑价值链
2012年就要翻页了，每个产业的起伏或冷暖自知。我国IC设计业今年是有惊无险地渡过了“险滩”，成为其史上“最艰苦却又持续进步”的一年。在最近举办的2012中国集成电路设计业年会暨重庆集成电路创新发展高峰论坛上，
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下一代FD－SOI制程将跳过20nm直冲14nm
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Consortium所展示的文件显示， FD-SOI 制程技术蓝图现在直接跳过了20奈米节点，直接往14奈米、接着是10奈米发
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下一代FD-SOI制程将跳过20nm直冲14nm
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技术研讨会上，产业组织SOIConsortium所展示的文件显示，FD-SOI制程技术蓝图现在直接跳过了20nm节点，直接往14nm、接着是10nm发展。根据SOICon
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FD-SOI制程蓝图:跳过20奈米节点，直冲14奈米
14奈米FD-SOI技术问世的时间点约与英特尔 (Intel)的14奈米FinFET相当，而两者的性能表现差不多，FD-SOI的成本则应该会比FinFET低得多。近日，在一场于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)
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下一代FD-SOI制程将跳过20nm直冲14nm
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Consortium所展示的文件显示， FD-SOI 制程技术蓝图现在直接跳过了20nm节点，直接往14nm、接着是10nm发展。根
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下一代FD-SOI制程将跳过20nm直冲14nm
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Consortium所展示的文件显示， FD-SOI 制程技术蓝图现在直接跳过了20奈米节点，直接往14奈米、接着是10奈米发
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台积电公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程
在“SEMICONJapan2012”（2012年12月5～7日，幕张MESSE国际会展中心）开幕当天，台积电研发副总经理侯永清(CliffHou)登台发表了主题演讲，公布了该公司关于16～10nmFinFET工艺及CoWoS（chiponwaferonsubstrate，晶圆
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明年IC设计业恐现零增长？ 增强企业实力是根本
2012年受欧债危机等影响，全球经济持续低迷，但是国内IC设计业仍保持了增长态势、从产业规模与市场开发角度看，中国IC设计业已经稳居全球集成电路设计业第三位，移动通信、存储器等领域的产品也从无到有，开始参与市
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台积电公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程
在“SEMICON Japan 2012”（2012年12月5～7日，幕张MESSE国际会展中心）开幕当天，台积电研发副总经理侯永清(Cliff Hou)登台发表了主题演讲，公布了该公司关于16～10nm FinFET工艺及CoWoS（chip on wafer on substra
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产能跟不上？GF明年上半年试产14nm工艺
AMD当年就屡屡被落后的产能所拖累，而在晶圆厂独立成GlobalFoundries之后，仍然摆脱不了工艺和产能跟不上的局面，多次导致新产品取消、推迟或者规格不达标，不过，GF依然在不断努力宣传美好的未来，现在又保证明年上
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GF14nm FinFET技术 明年上半年试产14nm工艺
AMD当年就屡屡被落后的产能所拖累，而在晶圆厂独立成GlobalFoundries之后，仍然摆脱不了工艺和产能跟不上的局面，多次导致新产品取消、推迟或者规格不达标，不过，GF依然在不断努力宣传美好的未来，现在又保证明年上
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Cadence 试产FinFET制程14nm测试晶片
Cadence近日宣布，运用IBM FinFET制程技术所设计的 ARM Cortex-M0 处理器14nm测试晶片已投入试产。成功投产14nmSOI FinFET 技术归功于三家厂商携手建立的生态体系，在以 FinFET 为基础的 14nm设计流程中，克服从设计
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运用FinFET技术Cadence已投入试产14nm测试芯片
近日，Cadence宣布，运用IBM FinFET制程技术所设计的 ARM Cortex-M0 处理器14nm测试晶片已投入试产。成功投产14nmSOI FinFET 技术归功于三家厂商携手建立的生态体系，在以 FinFET 为基础的 14nm设计流程中，克服从设
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台积Q4试产20nm SoC；明年推16nm FinFET制程
ARM今(23)日举办年度技术研讨会，台积电 (2330)技术长孙元成(见附图)获邀出席，分享台积电于先进制程的布局。孙元成指出，台积电的20 奈米 SoC解决方案预计今年Q4即可试产(risk production)，而相隔一年后、明年11
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Cadence试产14nm测试芯片
近日，Cadence宣布，运用IBM FinFET制程技术所设计的 ARM Cortex-M0 处理器14nm测试晶片已投入试产。成功投产14nmSOI FinFET 技术归功于三家厂商携手建立的生态体系，在以 FinFET 为基础的 14nm设计流程中，克服从
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Cadence试产14nm测试芯片
近日，Cadence宣布，运用IBM FinFET制程技术所设计的 ARM Cortex-M0 处理器14nm测试晶片已投入试产。成功投产14nmSOI FinFET 技术归功于三家厂商携手建立的生态体系，在以 FinFET 为基础的 14nm设计流程中，克服从设
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布局3D量测，爱德万推出晶圆级测试系统
测试设备大厂爱德万测试(Advantest, NYSE: ATE)看准3D IC技术发展的趋势，持续布局高阶测试方案，今宣布推出专为晶圆级测试所开发的多视角量测扫描式电子显微镜 (MVM-SEM)系统E3310。爱德万指出，该系统可提供高稳定
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ASM：迈入FinFET将需要全方位ALD方案
半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案
