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紧追台积电格罗方德推14奈米结合20奈米LPM

不让台积电(2330-TW)(TSM-US)专美于前。GLOBALFOUNDRIES(格罗方德)今(21)日宣布推出专为成长快速的行动市场所设计的新技术14nm-XM，加速其顶尖的发展蓝图并采优化新世代行动装置的FinFET电晶体架构；并结合将量产的2

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2012-09-21

台积电格罗方德 FINFET GLOBALFOUNDRIES
台积电2013年将采用FinFET技术打造16/10nm制程

台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外，台积电2013～2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术，打造16、10奈米制程；同时亦可望推出18寸(450mm)晶圆样品制造设备，全力防堵三星(Samsun

电子设计自动化
2012-09-12

先进制程 EUV 台积电 FINFET
先进制程冲第一台积电16/10nm抢先开火

台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外，台积电2013～2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术，打造16、10奈米制程；同时亦可望推出18寸(450mm)晶圆样品制造设备，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-10

先进制程 EUV 台积电 FINFET
先进制程冲第一台积电16/10奈米抢先开火

台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外，台积电2013～2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术，打造16、10奈米制程；同时亦可望推出18吋(450mm)晶圆样品制造设备，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-08

先进制程 EUV 台积电 FINFET
先进制程冲第一台积电16/10nm抢先开火

台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外，台积电2013～2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术，打造16、10奈米制程；同时亦可望推出18寸(450mm)晶圆样品制造设备，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-07

先进制程 EUV 台积电 FINFET
先进制程冲第一台积电16/10奈米抢先开火

台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外，台积电2013～2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术，打造16、10奈米制程；同时亦可望推出18吋(450mm)晶圆样品制造设备，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-07

先进制程 EUV 台积电 FINFET
台积电20奈米将量产股价息缺口即将完封

重量级权值股台积电(2330-TW)(TSM-US)昨收84.0元，这近两个月来漫长的填息之路只差2毛距离，股价即将完封除息缺口。而费半指数昨收跌0.85%，台积电ADR重挫0.21%。针对台积电技术新进展，台积电研发副总林本坚表示，2

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2012-09-05

Intel ASML 台积电 FINFET
台积电18吋晶圆2018量产

台湾国际半导体展（SEMICON Taiwan）今（5）日开幕，18吋晶圆成为市场焦点，台积电营运副总经理王建光昨（4）日出席半导体展前记者会时表示，台积电已做好导入18吋晶圆规划，预计2018年量产，届时导入的技术将以10奈

模拟
2012-09-05

晶圆 EUV 台积电 FINFET
台积电20奈米将量产股价息缺口即将完封

重量级权值股台积电(2330-TW)(TSM-US)昨收84.0元，这近两个月来漫长的填息之路只差2毛距离，股价即将完封除息缺口。而费半指数昨收跌0.85%，台积电ADR重挫0.21%。针对台积电技术新进展，台积电研发副总林本坚表示，2

模拟
2012-09-05

Intel ASML 台积电 FINFET
世界代工业的发展和成本提高

世界晶圆代工业进入21世纪以来尽管有所起伏，但自2010年达到约300亿美元的规模以后，将迈向连年上升的态势，2011年增长6.4%，近320亿美元，预计今年将加速成长15%，达约365亿美元，并期望2018年可成长到630亿美元，2

消费电子
2012-08-20

节点 CMOS TRANSISTOR FINFET
世界代工业的发展和成本提高

世界晶圆代工业进入21世纪以来尽管有所起伏，但自2010年达到约300亿美元的规模以后，将迈向连年上升的态势，2011年增长6.4%，近320亿美元，预计今年将加速成长15%，达约365亿美元，并期望2018年可成长到630亿美元，2

消费电子
2012-08-20

节点 CMOS TRANSISTOR FINFET
左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

继日前与台积电延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安谋国际(ARM)再于14日宣布与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)签订合约，双方将合推采用格罗方德20奈米制程与鳍式场效电晶体(FinFET)技术的ARM核心系统单晶片(SoC)，并携手发

消费电子
2012-08-17

ARM IP 格罗方德 FINFET
左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

继日前与台积电延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安谋国际(ARM)再于14日宣布与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)签订合约，双方将合推采用格罗方德20奈米制程与鳍式场效电晶体(FinFET)技术的ARM核心系统单晶片(SoC)，并携手发

消费电子
2012-08-17

ARM IP 格罗方德 FINFET
左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

继日前与台积电延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安谋国际(ARM)再于14日宣布与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)签订合约，双方将合推采用格罗方德20奈米制程与鳍式场效电晶体(FinFET)技术的ARM核心系统单晶片(SoC)，并携手发

单片机
2012-08-16

ARM IP 格罗方德 FINFET
ARM与GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技术

GLOBALFOUNDRIES和 ARM 近日宣布已签订了一份多年期协议，旨在为采用GLOBALFOUNDRIE 20纳米与FinFET工艺的 ARM 处理器设计提供优化的系统级芯片 (SoC) 解决方案。该协议将进一步拓展双方长期合作关系，并将合作领域扩

消费电子
2012-08-15

ARM IP FINFET GLOBALFOUNDRIES
ARM与GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技术

GLOBALFOUNDRIES和 ARM 近日宣布已签订了一份多年期协议，旨在为采用GLOBALFOUNDRIE 20纳米与FinFET工艺的 ARM 处理器设计提供优化的系统级芯片 (SoC) 解决方案。该协议将进一步拓展双方长期合作关系，并将合作领域扩

消费电子
2012-08-15

ARM IP FINFET GLOBALFOUNDRIES
ARM与芯片工厂合伙攻关20nmFinFET工艺

ARM、GlobalFoundries今天联合宣布达成多年合作协议，将会携手致力于ARM SoC处理器在GlobalFoundries 20nm工艺和FinFET技术上的优化制造，同时还会在Mali图形核心方面加强合作。芯片（图片来源于驱动之家）

模拟
2012-08-15

芯片 ARM FINFET GLOBALFOUNDRIES
左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

继日前与台积电延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安谋国际(ARM)再于14日宣布与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)签订合约，双方将合推采用格罗方德20奈米制程与鳍式场效电晶体(FinFET)技术的ARM核心系统单晶片(SoC)，并携手发

模拟
2012-08-15

ARM IP 格罗方德 FINFET
左拥台积右抱格罗方德ARM忙扩事业版图

继日前与台积电延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安谋国际(ARM)再于14日宣布与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)签订合约，双方将合推采用格罗方德20奈米制程与鳍式场效电晶体(FinFET)技术的ARM核心系统单晶片(SoC)，并携手发

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2012-08-15

ARM IP 格罗方德 FINFET
inFET联电拚F可能抢先台积电

在晶圆代工领域一直居于台积电(TSMC)之后的联电(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技术，领先其竞争对手一步。尽管十年前，台积电是最初发起 FinFET 构想的主要企业之一。但依照联电与 IBM 签署的授权协议，最快在

消费电子
2012-08-14

联电 FET 台积电 FINFET

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FINFET

紧追台积电格罗方德推14奈米结合20奈米LPM

台积电2013年将采用FinFET技术打造16/10nm制程

先进制程冲第一台积电16/10nm抢先开火

先进制程冲第一台积电16/10奈米抢先开火

先进制程冲第一台积电16/10nm抢先开火

先进制程冲第一台积电16/10奈米抢先开火

台积电20奈米将量产股价息缺口即将完封

台积电18吋晶圆2018量产

台积电20奈米将量产股价息缺口即将完封

世界代工业的发展和成本提高

世界代工业的发展和成本提高

左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

ARM与GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技术

ARM与GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技术

ARM与芯片工厂合伙攻关20nmFinFET工艺

左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

左拥台积右抱格罗方德ARM忙扩事业版图

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