FINFET

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晶圆技术将摩尔定律延伸至20纳米

更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下，甚至达到28nm，受晶圆的极端漏电流效应影响，芯片良率正经受挑战。在28nm节点，晶圆加工厂商仍可以在小基板上

模拟
2012-06-15

摩尔定律晶圆 FINFET 电流
晶圆技术将摩尔定律延伸至20纳米

更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下，甚至达到28nm，受晶圆的极端漏电流效应影响，芯片良率正经受挑战。在28nm节点，晶圆加工厂商仍可以在小基板上

模拟
2012-06-15

摩尔定律晶圆 FINFET 电流
晶圆技术将摩尔定律延伸至20纳米

更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下，甚至达到28nm，受晶圆的极端漏电流效应影响，芯片良率正经受挑战。在28nm节点，晶圆加工厂商仍可以在小基板上

模拟
2012-06-15

摩尔定律晶圆 FINFET 电流
IMEC探讨10nm以下制程的不同 CMOS技术将持续微缩

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

模拟
2012-06-12

CMOS ST GEN FINFET
22nm后英特尔FinFET可能需要使用SOI

根据工程顾问公司Chipworks日前披露的英特尔(Intel) 22nmFinFET元件剖面图，以及EDA公司Gold Standard Simulations (GSS)针对该元件所做的多种电气特性建模结果，显示出了这个最新22nm FinFET的物理变异特性。GSS公司

模拟
2012-06-12

英特尔 OV SE FINFET
Globalfoundries:20nm后以技术取胜

“当谈到FinFET时，它必用在行动处理器上，我们才能真正感受到它的优势，”Globalfoundries技术长办公室先进技术架构主管Subramani Kengeri稍早前台北国际电脑展(Computex)期间的媒体活动上表示。他也指出，在次20nm

模拟
2012-06-11

EUV GE GLOBALFOUNDRIES FINFET
IMEC探讨10nm以下制程变异

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

消费电子
2012-06-08

CMOS ST GEN FINFET
IMEC探讨10nm以下制程变异

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

电子设计自动化
2012-06-07

ST GEN FINFET
IMEC探讨10nm以下制程变异

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

模拟
2012-06-06

CMOS ST GEN FINFET
IMEC探讨10nm以下制程变异

在可预见的未来， CMOS 技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入 10nm 节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键， IMEC 资深制程技术副总裁 An Steegen 在稍早前于比利时举行的 IMEC Techno

模拟
2012-06-06

新材料 ST GEN FINFET
解构英特尔FinFET：fin更少、更像三角形

逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特尔（Intel） 22nm Ivy Bridge处理器的剖面图，从中可见英特尔称为叁闸极（tri-gate）电晶体的FinFET元件，从剖面图看来，它实际上是几乎呈现三角形的梯形。这颗被解剖的IC

模拟
2012-05-24

英特尔矩形 IC FINFET
解构英特尔FinFET：fin更少、更像三角形

逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特尔（Intel） 22nm Ivy Bridge处理器的剖面图，从中可见英特尔称为叁闸极（tri-gate）电晶体的FinFET元件，从剖面图看来，它实际上是几乎呈现三角形的梯形。这颗被解剖的IC

电源
2012-05-22

英特尔矩形电晶体 FINFET
用创新方法跨越1x-nm晶片微缩挑战

随着晶片制造迈向次20nm世代及10x-nm的更微小几何尺寸，眼前横亘的技术挑战很可能导致这个产业的竞争态势发生重大转变。不过，技术的演进并不会只依循单一道路，面对重重挑战时，往往会出现创新的解决方案。如Soitec

模拟
2012-04-27

晶片节点电晶体 FINFET
14nm的到来再次掀翻摩尔定律，多厂商在行动

摩尔定律是推动集成电路性能前进的影响力参数。在过去数十年里集成电路数量每两年就翻一倍。现在这个步伐已经被超越？至少14nm制程和FinFET技术的开发商是这么看的。英特尔、IBM、东芝、三星都在采纳14nm制程，并将在

电子设计自动化
2012-04-10

IBM 节点摩尔定律 FINFET
半导体产业面临新挑战：晶片微缩将愈来愈艰困

半导体产业正在面临一项挑战，即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束，我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示，晶片微缩的路程愈来愈艰困了。1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期延

智能硬件
2012-04-01

晶片半导体产业控制 FINFET
偏离摩尔定律晶片微缩脚步渐缓

半导体产业正在面临一项挑战，即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束，我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示，晶片微缩的路程愈来愈艰困了。1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期延

电子设计自动化
2012-03-27

晶片半导体产业摩尔定律 FINFET
偏离摩尔定律晶片微缩脚步渐缓

半导体产业正在面临一项挑战，即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束，我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示，晶片微缩的路程愈来愈艰困了。 1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期

消费电子
2012-03-26

晶片半导体产业摩尔定律 FINFET
偏离摩尔定律晶片的微缩路程越来越艰难

半导体产业正在面临一项挑战，即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束，我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示，晶片微缩的路程愈来愈艰困了。1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期延

电子设计自动化
2012-03-23

晶片 BSP 摩尔定律 FINFET
偏离摩尔定律晶片微缩脚步渐缓

半导体产业正在面临一项挑战，即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束，我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示，晶片微缩的路程愈来愈艰困了。1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期延

模拟
2012-03-23

晶片半导体产业摩尔定律 FINFET
SOI组织称FDSOI的制造风险低于FinFET

SOI产业联盟(SOI Industry Consortium)和业界支持绝缘矽(silicon-on-insulator, SOI)的厂商们日前表示，已经有新证据显示，使用完全耗尽型的FDSOI技术，其风险将小于由英特尔所支持的FinFET。 SOI联盟表示，最近一项

模拟
2011-12-12

英特尔节点 DSO FINFET

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FINFET

晶圆技术将摩尔定律延伸至20纳米

晶圆技术将摩尔定律延伸至20纳米

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22nm后英特尔FinFET可能需要使用SOI

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IMEC探讨10nm以下制程变异

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解构英特尔FinFET：fin更少、更像三角形

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用创新方法跨越1x-nm晶片微缩挑战

14nm的到来再次掀翻摩尔定律，多厂商在行动

半导体产业面临新挑战：晶片微缩将愈来愈艰困

偏离摩尔定律晶片微缩脚步渐缓

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