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台积电、安谋20奈米以下再续前缘
台积电与英商安谋（ARM）昨（23）日共同宣布一项为期多年的合作协议，将双方的合作延续至20奈米制程以下，藉由台积电16奈米3D架构的鳍式场效电晶体（FinFET）制程提供ARM的处理器技术，让晶片设计商在应用处理器领域
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台积电大步迈进 明年开始尝试投产20nm
40nm、28nm上连续栽了两个跟头，全球头号代工厂台积电依然雄心勃勃，已经瞄准了下一站：20nm。 台积电老大张忠谋近日就表示：“我们会在明年开始部分投产20nm，但只是小规模的，产量非常低，基本上我们称之为风险
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28nm先拼产能 台积电毛利率恐于Q4/明年Q1落底
台积电(2330)法说会于上周落幕，关于众所注目的28奈米发展进度，财务长何丽梅指出，28奈米市场需求持续强劲，预计台积电在28奈米第3季的出货量将较第2季翻倍、且将挹注占第3季营收成长中的80%水准，可见其对台积电营
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28nm先拼产能台积电毛利率恐于Q4/明年Q1落底
台积电 (2330)法说会于上周落幕，关于众所注目的28 奈米发展进度，财务长何丽梅指出，28 奈米市场需求持续强劲，预计台积电在28 奈米第3季的出货量将较第2季翻倍、且将挹注占第3季营收成长中的80%水准，可见其对台积
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ARM/台积电宣布合作协议延伸至20nm以下制程
ARM(安谋)与台积电 (2330)于今（23）日共同宣布一项为期多年的合作协议，将双方的合作延续至20 奈米制程以下，藉由台积电的FinFET制程提供ARM处理器技术，可让晶片设计商在应用处理器领域也能扩展其市场领先优势。AR
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台积电、ARM携手合作双方互惠为各自技术提供最佳化选择
台积电(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一项多年期的合作协议，这两企业将就20 奈米技术合作，让ARM 晶片可运用于FinFET (鳍式场效电晶体) 上，让晶片设计商能继续拓展其在应用处理器上的领先优势。，双方的合作将能
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美林：库存压力现台积电下半年恐调降资本支出
台积电(2330)董事长张忠谋昨(19)日于法说会指出，今年第4季半导体将面临库存调整，台积电营运也将小跌一跤(dip)，要至明年第2季才会反弹。而美林证券( Merrill Lynch )也出具最新报告，指台积电第3季合并营收将季增6
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ARM与台积公司携手为下一代64位ARM处理器进行优化
ARM与台积公司携手为下一代64位ARM处理器进行优化
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野村：缺成长动能，联电Q3营收估季增仅0-5%
联电 (2303)于9日公布6月营收，微幅月增0.9%来到92.89亿元、年增1.13%，为去年5月以来新高，而总计联电第2季营收则是季增16.22 %为276.2亿元，亦略优于法人先前预期的15%，表现亮眼。惟关于联电后续表现，野村证券 (
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28nm到14nm工艺代沟，全耗尽硅技术如何弥补？
今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程，不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山——这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出，
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28nm到14nm工艺代沟，全耗尽硅技术如何弥补？
今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程，不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山——这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出，
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IBM授权联电业界第二家使用3D晶体管工艺
据国外媒体报道，台湾芯片代工大厂联电（UMC）上周末与IBM签署了一项协议，前者将在后者帮助下研发并推出20nm CMOS制程工艺，并引入FinFET即3D晶体管技术。 联电官方表态称，IBM将其20nm制程工艺整套设计和FinFET
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携手IBM 联电可望在晶圆代工扳回一城
联电 ( UMC )稍早前宣布，与IBM达成协议，将加快其20nm制程及FinFET 3D 电晶体的发展，而此举也很可能让联电成为唯一一家在20nm节点提供FinFET元件的纯 ??晶圆代工厂。联电正在努力扭转局面。近年来，联电和主要竞争
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联电攻20奈米 杠台积 获IBM技术授权 加速CMOS制程开发
晶圆双雄争抢20奈米地盘鸣枪起跑! 晶圆代工「二哥」联电（2303）攻进20奈米，昨（29）日宣布已取得IBM技术授权，将以FinFET 3D电晶体，促进次世代先进20奈米CMOS制程开发，与最快年底试产的台积互别苗头。 联电昨
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联电、IBM 合攻20纳米市场
晶圆代工厂联电（2303）昨（29）日宣布与IBM签订技术授权合约，将以3D架构的鳍式场效晶体管（FinFET），促进次世代尖端20纳米CMOS制程的开发，以加速联电次世代尖端技术的研发时程。 根据联电及IBM的协议，IBM将
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联电获IBM技术授权，20纳米、finfet研发周期可望缩短
联电(2303)今日(29日)宣布已取得IBM所授权的技术，将以finfet 3d晶体管，促进次世代尖端20纳米cmos制程的开发。双方协议IBM将授权其20纳米设计套件以及finfet技术给联华电子，联华电子将可运用这些技术，加快推出这些
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晶圆技术将摩尔定律延伸至20纳米
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下，甚至达到28nm，受晶圆的极端漏电流效应影响，芯片良率正经受挑战。在28nm节点，晶圆加工厂商仍可以在小基板上
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晶圆技术帮助实现更高速度和更低功耗
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下，甚至达到28nm，受晶圆的极端漏电流效应影响，芯片良率正经受挑战。在28nm节点，晶圆加工厂商仍可以在小基板上
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晶圆技术将摩尔定律延伸至20纳米
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下，甚至达到28nm，受晶圆的极端漏电流效应影响，芯片良率正经受挑战。在28nm节点，晶圆加工厂商仍可以在小基板上
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晶圆技术帮助实现更高速度和更低功耗
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下，甚至达到28nm，受晶圆的极端漏电流效应影响，芯片良率正经受挑战。在28nm节点，晶圆加工厂商仍可以在小基板上
