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三星将FinFET技术授权给GlobalFoundries

4月18日消息，据路透社报道，三星电子周五表示，公司已将最新的芯片制造技术授权给美国制造商GlobalFoundries。此举旨在帮助后者改善生产力，以提高其在面对像苹果这样的大订单时与台积电的竞争力。GlobalFoundries是

半导体
2014-04-18

三星 GLOBALFOUNDRIES FINFET 台积电
台积估明年CAPEX持平今年，开始10nm建置

台积电(2330)今(17日)召开法说会，市场也聚焦台积于资本支出CAPEX与先进制程的最新进展。台积电财务长何丽梅指出，虽然此刻要估计明年资本支出CAPEX老实说还太早，不过粗估台积明年CAPEX应该约略与今年持平，维持在百

模拟
2014-04-17

微米 APEX FINFET 台积电
Mentor Graphics设计和验证工具获TSMC 16nm FinFET生产认证

Mentor Graphics公司日前宣布，其集成电路设计到制造的整套解决方案已获得TSMC 16nm FinFET工艺的设计规则手册(DRM)和1.0版本SPICE模型认证。该认证包括的工具有Calibre®物理验证及可制造性设计(DFM)平台、Ol

电子设计自动化
2014-04-17

TSMC MENTOR GRAPHICS FINFET
专家观点：FD SOI是20奈米节点最佳方案

全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD SOI)是 28奈米与 20奈米半导体制程节点的最佳解决方案，主要原因是该技术与块状CMOS制程技术相比，其成本与泄漏电流较低，性能表现则更高。同样是100mm

模拟
2014-04-08

节点制程技术 CMOS FINFET
Synopsys CEO谈EDA下一轮浪潮

3月24日，在Synopsys公司2014年用户大会的第一站-美国站上，Synopsys正式向业界发布了几款重量级新产品，Synopsys官方称之为业界最快的仿真系统ZeBu Server-3，为完整验证流程提供革命性技术支持的Verification Comp

消费电子
2014-04-03

EDA CE SYNOPSYS FINFET
抢苹果A9 台积电推16nm FinFET+

据业内人士透露，台积电(TSMC )可能改进16nm代工业务，增加两个更先进的工艺，从而与英特尔和三星电子的14nm代工业务竞争。根据台积电原本路线图，16nm FinFET工艺有望在2014年底试生产，但是，现在台积电决定在年底

电子设计自动化
2014-04-03

苹果 TSMC FINFET 台积电
FinFET并非半导体演进最优选择下一代芯片降价难

在历史上，半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降；但下一代芯片恐怕不会再伴随着成本下降，这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说，新一代的20纳米块状高介电金属栅极(

半导体
2014-04-02

半导体芯片节点 FINFET
专家：FinFET并非半导体演进最佳选项

在历史上，半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的电晶体成本下降；但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降，这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说，新一代的20奈米块状高介电金属闸极

模拟
2014-04-01

半导体节点 CMOS FINFET
英特尔三星14纳米来势汹汹台积电迎战

全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(SamsungElectronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争，三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先，纷准备投入量产，台积电则致力于

电子设计自动化
2014-03-31

英特尔三星 FINFET 台积电
英特尔、三星14纳米来势汹汹

讯：全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(Samsung Electronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争，三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先，纷准备投入量产，台

半导体
2014-03-28

英特尔应用处理器三星 FINFET
英特尔、三星14纳米来势汹汹台积电16纳米迎战

全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(Samsung Electronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争，三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先，纷准备投入量产，台积电则致力

半导体
2014-03-28

英特尔三星 FINFET 台积电
台积电市值挑战千亿美元大和证升目标价

日商大和证券昨(11)日指出，台积电(2330)第一季营收可望优于财测，且目前20奈米良率已达50%至60%，优于三星(005930-KR)，代表量产时间点会较三星提早一季，预估第二季营收成长率可达20%，市值更有望挑战千亿美元。故

模拟
2014-03-19

晶片三星 FINFET 台积电
Cadence物理验证系统通过GF 65nm至14nm FinFET制程认证

重点：· 认证确保精确性方面不受影响，并包含用于65纳米至14纳米FinFET制程的物理验证签收的先进技术· 双方共同的客户可通过它与Cadence Virtuoso及Encounter平台的无缝集成进行版图设计和验证版图21

电子设计自动化
2014-03-13

CADENCE VIRTUOSO 65NM FINFET
Cadence物理验证系统通过FinFET制程认证

重点：·认证确保精确性方面不受影响，并包含用于65纳米至14纳米FinFET制程的物理验证签收的先进技术·双方共同的客户可通过它与CadenceVirtuoso及Encounter平台的无缝集成进行版图设计和验证版图全球电

电子设计自动化
2014-03-13

CADENCE COUNTER SYSTEM FINFET
7nm之后晶体管技术何去何从？

FinFET晶体管大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们？在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术，有望可缩

半导体
2014-03-04

晶体管量子栅极 FINFET
7nm之后晶体管技术何去何从？

FinFET晶体管大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们？在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术，有望可缩

模拟
2014-03-04

晶体管量子栅极 FINFET
FinFET工艺之后晶体管技术何去何从？

大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们?在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术，有望可缩小到10nm节点

消费电子
2014-02-28

晶体管量子栅极 FINFET
台积电16纳米赛灵思力挺

赛灵思（Xilinx）继日前宣布旗下首款20纳米FPGA系列产品，已在台积电（2330）投片量产，并由台积电独享代工大单后，昨（26）日又宣布完成全球首颗采用16纳米FinFET（鳍式场效晶体管）的FPGA产品，力挺台积电16纳米制

模拟
2014-02-27

FPGA 赛灵思 FINFET 台积电
ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试年内客户或超20家

对于英特尔来说，要想在移动芯片市场多分得一杯羹，就需要借助其更加先进的制造能力的优势。而今日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统的(基于平面晶体管结构的)芯片相

消费电子
2014-02-26

ARM TSMC FINFET 台积电
ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试

对于英特尔来说，要想在移动芯片市场多分得一杯羹，就需要借助其更加先进的制造能力的优势。而今日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统

电子设计自动化
2014-02-26

ARM MDASH FINFET 台积电

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FINFET

三星将FinFET技术授权给GlobalFoundries

台积估明年CAPEX持平今年，开始10nm建置

Mentor Graphics设计和验证工具获TSMC 16nm FinFET生产认证

专家观点：FD SOI是20奈米节点最佳方案

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抢苹果A9 台积电推16nm FinFET+

FinFET并非半导体演进最优选择下一代芯片降价难

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英特尔三星14纳米来势汹汹台积电迎战

英特尔、三星14纳米来势汹汹

英特尔、三星14纳米来势汹汹台积电16纳米迎战

台积电市值挑战千亿美元大和证升目标价

Cadence物理验证系统通过GF 65nm至14nm FinFET制程认证

Cadence物理验证系统通过FinFET制程认证

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ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试年内客户或超20家

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