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三星公布最新技术路线图：7nm 规模量产、导入8nm LPU、引入GAAFET
日前，三星在日本举办了三星铸造工厂论坛（SFF）2018年会，更新了技术路线图。简单来说，主要有三点，一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产（初期EUV仅用于选择层），二是导
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为实现未来智能系统，格芯扩展FinFET产品新特性
格芯近日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术，这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一。新工艺技术旨在为快速增长市场(如超大规模数据中心和自动驾驶汽车)应用提供更好的可扩展性和性能。
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新思科技携手IBM，通过DTCO创新加速后FinFET工艺开发
新思科技(Synopsys, Inc.)今日宣布与IBM携手，将设计与工艺联合优化 (DTCO，Design Technology Co-Optimization) 应用于针对后FinFET工艺的新一代半导体工艺技术。
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格芯重塑技术组合，重点关注日益增长的差异化产品市场需求
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布其转型的重要一步，继今年初汤姆·嘉菲尔德(Tom Caulfield)接任首席执行官后，格芯正在重塑其技术组合，依照嘉菲尔德所阐述的战略方向，重点关注为高增长市场中的客户提供真正的差异化产品。
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FinFET存储器的设计、测试 和修复方法
同任何IP模块一样，存储器必须接受测试。但与很多别的IP模块不同，存储器测试不是简单的通过/失败检测。存储器通常都设计了能够用来应对制程缺陷的冗余行列，从而使片上系统(SoC)良率提高到90%或更高。
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三星FinFET工艺被判侵犯专利权，需赔偿4亿美金
三星与韩国科学技术院(KAIST)在FinFET工艺上的争论由来已久，KAIST在诉讼中表示当时还在KAIST工作的教授Lee Jong-ho在2001年向三星展示过FinFET技术，三星起初对FinFET工艺并不上心，但是后来看到英特尔的FinFET量产之后也加快了FinFET工艺开发，三星使用了Lee Jong-ho教授的FinFET工艺为基础改进FinFET工艺，最终在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研发的FinFET工艺相近的FinFET技术。
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FinFET技术面临的挑战与发展前景
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显着的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多
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格芯发布为IBM系统定制的14纳米FinFET技术
美国加利福尼亚圣克拉拉，2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力，从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支持。
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Intel Custom Foundry认证适用于22FFL FinFET 低功耗工艺的Mentor物理验证工具
Mentor, a Siemens business 今天宣布，适用于新型 Intel® 22FFL(FinFET 低功耗)工艺技术的 Calibre® 物理验证平台和 Analog FastSPICE™ (AFS™) 电路仿真平台获得了流片 Sign-off 认证。
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SoC系统开发人员：FinFET对你来说意味着什么？
大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未来会怎样呢?
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关于芯片的那些事儿
三星宣布，加入了11nm 工艺，性能比此前的14nm提升了15%，单位面积的功耗降低了10%。若要遵循摩尔定律继续走下去，未来的半导体技术还会有多大所提升空间呢?
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FinFET新工艺下的老问题，芯片可靠性如何保证？
随着更先进工艺的芯片陆续进入工业和汽车领域应用，芯片制造商们正在努力解决新工艺下的先进芯片的可靠性问题
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FinFET新工艺下的老问题，芯片可靠性如何保证？
随着更先进工艺的芯片陆续进入工业和汽车领域应用，芯片制造商们正在努力解决新工艺下的先进芯片的可靠性问题，诸如EOS，ESD以及其他一些与电力相关的问题，由于汽车和工业部门对电路的可靠性有着非常严格的要求，制造商必须重新审视先进工艺制造的芯片潜在的有可能影响器件长期使用可靠性的诸多因素。
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FinFET布局和布线要经受的重大考验
随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂，因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。适用于高级工艺设计的物理实现工具必须针对引入多重图案拆分和 FinFET 后的摆设、布线、DFM、提取和时序进行增强。
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格芯交付7纳米FinFET技术在即 与原14纳米FinFET相比，将提升40%的性能
格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，
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台积电10nm产能有限 或迫使麒麟970改用12nm FinFET工艺
早前台媒指华为海思只占台积电营收的5%左右，远低于苹果、高通和联发科等的贡献，在联发科都难以获得10nm工艺产能的情况下，华为海思估计更难，如此其mate10手机要赶在9月份前后上市的话，麒麟970就只能采用台积电的12nmFinFET生产了。
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FinFET布局和布线要经受各种挑战
随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂，因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。
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利用FinFET优势的六种方式
为了能够充分发挥好工艺制程的功耗，性能和面积(PPA)上的优势， 必须要求我们的设计人员将有相关工艺知识的设计战略和优化的IP相结合，其中包括了标准元件库和嵌入式存储器。在这有六种方式去实现它。
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Synopsys与TSMC共同开发12nm FinFET制程的接口、模拟及基础IP
新思科技近日宣布：与台湾集成电路制造股份有限公司(TSMC)共同开发用于TSMC 12FFC制程的DesignWare®接口、模拟及基础IP。
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SOI与FinFET技术谁更优
法国Soitec已实现FD-SOI晶园的高良率成熟量产，其300mm晶圆厂能够支持28nm、22nm及更为先进的节点上大规模采用FD-SOI技术。如今，全球有三家位于三大洲的公司能够供应FD-SOI晶圆，包括法国Soitec、日本信越半导体(SHE)、美国SunEdison。这三家公司均采用了行业标准的SOI晶园制造技术，智能剥离(Smart Cut™)。
