-
绝缘栅双极晶体管的原理
N沟型的 IGBT工作是通过栅极-发射极间加阀值电压VTH以上的(正)电压，在栅极电极正下方的p层上形成反型层(沟道)，开始从发射极电极下的n-层注入电子。
-
2020年全球分立IGBT器件供应商营业额及排名
2020年全球分立IGBT器件主要供应商中，排名前10的分别为：Infineon，FujiElectric，Mitsubishi，ON，Toshiba，ST，Littlefuse，RenesasElectronics，MagnaChip，HangzhouSilan。2020年全球...
-
这样的IGBT就没不喜欢的
世界读书日WorldBookDay点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏，不放出那匹脱缰野马，这样就不会有人从我假意的冷淡里，拎出些滚烫的秘密。by陈大力自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏...
-
理解IGBT的连续集电极电流IC
IGBT数据表中连续集电极电流IC，也称为直流集电极电流，先对比一下二家不同公司的额定电流相同的IGBT产品（10A/600V）的数据表，可以看到标称的连续集电极电流IC的差异。厂家1：厂家2：在数据表中，25℃和100℃时，二个标称相同额定电流的IGBT，IC并不相同。那么，I...
-
2020年全球功率MOSFET和IGBT供应商营业额及排名
2020年，功率MOSFET和IGBT产能非常紧缺，交货周期依然非常长。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原厂和晶圆代工厂多次上调价格，由于受到产能的限制，功率MOSFET和IGBT的市场供给仍然处于非常紧张的状态，这种状况一直持续到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
-
2020年全球功率MOSFET/IGBT供应商营业额及排名
2020年，功率MOSFET/IGBT产能非常紧缺，交货周期非常长。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原厂和晶圆代工厂多次上调价格，由于受到产能的限制，功率MOSFET市场供给仍然处于紧张的状态，一直持续到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市场研究机构，在其年...
-
IGBT与快恢复二极管匹配技术的特点和优势
1. 引言 进入二十一世纪以来，以大规模风力发电、太阳能发电为代表的新能源是我国未来能源结构调整的重点发展方向，而传统的交流输电和直流输电技术已经难以满足以大规模风电和太阳能发电安全可靠接入电网的迫切需求。而基于高压大功率电力电子技术的灵活交流输电和高压直流输电是未来智能电网...
-
IGBT主要厂商（国产与国外），附其产业链报告
“是说芯语”已陪伴您983天IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片...
-
igbt和电力mosfet在内部结构和开关特性
MOSFET和IGBT的对比
-
并联有源电力滤波器保护的关键技术研究
摘要:针对并联有源电力滤波器在运行过程中会多次出现IGBT爆炸的问题,经过实验分析了IGBT的过电压形成过程。鉴 于IGBT的关断时间极短，连接导线上寄生的微小杂散电感在高频开关的作用下会产生尖峰过电压，并与原有电压叠加，从而 对IGBT的安全构成威胁 。文中为设计的100 kVA并联有源电力滤波器所选择的IGBT模块设计了一种缓冲电路，从而解决了 IGBT模块爆炸的问题，保证了并联有源电力滤波器的安全运行。
-
涨知识！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太阳能逆变器中的性能比较
点击蓝字 关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！国际能源署的数据显示，到2030年，太阳能光伏 (PV)装置的装机容量有望达到3,300TWh，与2019年的水平相比，年增率为15%[1]，这意味着能源供应的比例在不断上升。光伏装置的安装是将微型、迷你和电力公...
-
【干货收藏】 IGBT 的国产替代
什么是IGBT所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融...
-
英飞凌采用具有新额定电流的IGBT7以增强1200 V EconoDUAL™ 3产品组合，灵活满足更高的功率密度和性能
【2021年9月7日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。
-
涨知识！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太阳能逆变器中的性能比较
点击蓝字 关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！国际能源署的数据显示，到2030年，太阳能光伏 (PV)装置的装机容量有望达到3,300TWh，与2019年的水平相比，年增率为15%[1]，这意味着能源供应的比例在不断上升。光伏装置的安装是将微型、迷你和电力公...
-
模拟晶圆代工龙头企业X-FAB与国产SiC功率器件供应商派恩杰达成长期战略合作，共同推动全球SiC产业发展
2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。
-
【干货收藏】 IGBT 的国产替代
什么是IGBT所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融...
-
太阳能逆变器效率如何?太阳能逆变器作用介绍!
逆变器是工业、生活中常用设备之一，即便是家用电器中，也存在逆变器的身影。
-
仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
-
深度剖析IGBT的结构与工作原理
IGBT的结构如下图所示，一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，有两个N区，其中一个N区称为源区，附于其上的电极称为源极。另一个N区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟道区...
-
可显著降低家用电器功耗，东芝IGBT产品又添新成员！
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！近日，东芝新推出了一款额定值为1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，扩充了其IGBT产品阵容。新产品主要适用于采用AC200V输入电压谐振电路的家用电器，例如IH电磁炉、IH电饭煲和微波炉。GT30N135SRAGT30N...
wuyi1981
flamer
ohy3686
LUZHIYONG
liuchnegjie
zqykkkk
vftom3
zss113
李伟亿
jhsch
cm1z
EverEin
jejeje
夏洛克柯南
mellonl
我有RPWT
icetea98
ka1266
yuhunewton
aqing11111
