在电力电子技术的快速发展中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率半导体器件,广泛应用于电动/混合动力汽车、工业变频器、太阳能逆变器等领域。这些应用领域对设备的可靠性和性能要求极高,因此,现代IGBT/MOSFET栅极驱动器必须具备高效的隔离功能和强大的功率处理能力。本文将深入探讨现代IGBT/MOSFET栅极驱动器在提供隔离功能时的最大功率限制及其实现机制。
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IGBT的发展对于很多行业都有益,但是在相当长的一段时间里,IGBT的核心技术都被国外企业牢牢地把在手里。“核心技术之痛”依然横亘在我们面前,在IGBT全球市场中,西门子旗下的子公司英飞凌占有率全面领先,IGBT分立器件和IGBT模块的市占率分别为29.3%和 36.5%。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种高效能的功率半导体元件,在能源转换和控制领域的作用日益凸显。
如果正输入电压通过栅极,发射极保持驱动电路开启。另一方面,如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负,则会关闭电路应用。
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随着电子技术的提高,以及电子产品的发展,一些系统中经常会需要负电压为其供电。例如,在大功率变频器,会使用负电压为IGBT提供关断负电压
Holtek持续精进电磁炉产品技术开发,再推出更具性价比的电磁炉Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相较于前代产品提供更丰富的资源,如硬件辅助UL认证功能、硬件I²C可与面板通信及过电流保护及台阶电压侦测功能等,同时也保留前代产品优势,如电磁炉所需的硬件保护电路(电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护)、PPG含硬件抖频功能,使电磁炉工作于高功率时,可以有效减小IGBT反压以及降低EMI电磁干扰,减少抗EMI元件成本,并通过EMI标准测试。
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