IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为两种重要的半导体功率器件,在电力电子领域有着广泛的应用。它们各自具有独特的优缺点,以下是对两者优缺点的详细分析:
GBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
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在电力电子技术的快速发展中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率半导体器件,广泛应用于电动/混合动力汽车、工业变频器、太阳能逆变器等领域。这些应用领域对设备的可靠性和性能要求极高,因此,现代IGBT/MOSFET栅极驱动器必须具备高效的隔离功能和强大的功率处理能力。本文将深入探讨现代IGBT/MOSFET栅极驱动器在提供隔离功能时的最大功率限制及其实现机制。
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IGBT的发展对于很多行业都有益,但是在相当长的一段时间里,IGBT的核心技术都被国外企业牢牢地把在手里。“核心技术之痛”依然横亘在我们面前,在IGBT全球市场中,西门子旗下的子公司英飞凌占有率全面领先,IGBT分立器件和IGBT模块的市占率分别为29.3%和 36.5%。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种高效能的功率半导体元件,在能源转换和控制领域的作用日益凸显。
如果正输入电压通过栅极,发射极保持驱动电路开启。另一方面,如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负,则会关闭电路应用。
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随着电子技术的提高,以及电子产品的发展,一些系统中经常会需要负电压为其供电。例如,在大功率变频器,会使用负电压为IGBT提供关断负电压