IGBT

【干货收藏】 IGBT 的国产替代

什么是IGBT所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融...

太阳能逆变器效率如何?太阳能逆变器作用介绍!

逆变器是工业、生活中常用设备之一，即便是家用电器中，也存在逆变器的身影。

仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。

深度剖析IGBT的结构与工作原理

IGBT的结构如下图所示，一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，有两个N区，其中一个N区称为源区，附于其上的电极称为源极。另一个N区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟道区...

可显著降低家用电器功耗，东芝IGBT产品又添新成员！

点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！近日，东芝新推出了一款额定值为1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，扩充了其IGBT产品阵容。新产品主要适用于采用AC200V输入电压谐振电路的家用电器，例如IH电磁炉、IH电饭煲和微波炉。GT30N135SRAGT30N...

大功率晶闸管参数解析之正向特性

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。

极端温度半导体解决方案供应商CISSOID授权世强硬创电商，提供车规级碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模块等产品

7月，来自比利时的高温半导体解决方案供应商CISSOID正式与世强硬创电商签署授权代理协议，授权其代理旗下智能功率模块IPM、集成电路、分立器件等产品。

英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率

近日，英飞凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。

Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案，取代硅IGBT，现已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围

如何用一颗IGBT撬动电动汽车逆变器？

ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

损耗比以往IGBT产品低67%，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗

Nexperia获得Newport Wafer Fab的100%所有权，正式更名为Nexperia Newport

这家威尔士半导体工厂将继续专注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半导体等车规级产品的生产

全面智能化与低碳减排并重，英飞凌无锡工厂继续升级扩能

1995年英飞凌无锡工厂成立，历经20多年的发展后，现已经成为了其大中华区最大的制造基地、其全球最为重要的IGBT制造中心之一。

功率半导体掀新一轮涨价潮：预计涨幅12%

据媒体报道，全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价，MOSFET的涨幅将有12%，预计本月中旬执行。还有多家功率半导体厂商也在近期发布了涨价通知。

英飞凌EiceDRIVER™ X3 Enhanced和X3 Compact栅极驱动器系列推出增强型隔离产品

近日，英飞凌科技股份公司进一步壮大了其易于设计使用的EiceDRIVER™ X3 Compact(1ED31xx)、高灵活性的EiceDRIVER X3 Enhanced模拟(1ED34xx)和数字(1ED38xx)栅极驱动器系列，分别推出了增强型隔离产品，旨在提升应用安全性和延长使用寿命。

关于UPS电源过早发生故障的一些原因以及解决方法解析

随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如UPS电源。

ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”

～有助于进一步减少白色家电和小型工业设备的功耗和设计工时～

IGBT原来是这么玩的！

传统的功率器件根据主要导电载流子一般分为多子和少子器件，少子器件主要包括二极管，BJT，晶闸管，GTO等，这些器件导通的时候电流至少经过一个PN节，并且电子和空穴同时导电，其都是进入对应的PN区的少数载流子，最终形成电流。

通过合适的栅极驱动技术最大化SiC的性能

电动汽车革命即将来临。汽车公司拼命地寻求技术优势，驱动电动汽车的电力电子设备正在迅速发展。

MOS管和IGBT的区别

为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？