什么是电磁加热器?电磁加热器是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的装置。目前电磁加热器在工业加热领域已经得到了广泛的应用,众所周知,电磁加热器的控制板分为全桥和半桥,最近不少客户询问全桥和半桥具体有什么区别?
生活中有各种各样的电源,其中就有一款叫高频开关电源系统,什么是高频开关电源系统?它有什么作用?高频开关电源(也称为开关型整流器SMR)是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源,开关频率一般控制在50-100kHz范围内,实现高效率和小型化。
你知道电源设计中有哪些困难吗?我们都知道,电源设计开发当然算是个技术活儿,也是累活儿,工作繁杂挑战诸多。电源设计工程师根据任务书选择合适的器件和拓扑结构,设计符合功能的原型版,电源设计优化尤其重要。既要保证功能的实现,又要兼顾效率、成本及EMC各个方面,最终产品还需要进行整体电源质量评价及行业标准的认证。
今天我们来聊了聊有关碳化硅作为高压低损耗的功率半导体器件材料的潜力
什么是PWM真的存在“死区”?众所周知,PWM脉冲宽度调制是一种模拟控制方式,根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式通常用于整流和逆变的环境中,同时也会运用到整流桥和逆变桥。对三相电来说,就需要三个桥臂。以两电平为例,每个桥臂上有两个电力电子器件,比如IGBT。这两个IGBT不能同时导通,否则就会出现短路的情况。
随着全球制造业向中国的转移,我国功率半导体市场占世界市场的50%以上,是全球最大的IGBT市场。但IGBT产品严重依赖进口,在中高端领域更是90%以上的IGBT器件依赖进口,IGBT国产化需求已是刻不容缓。
IGBT应用非常广泛,渗透到工作生活的方方面面,小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网、风电光伏等战略性产业,被形象地称为电力电子行业里的“CPU“。IGBT,学名称为“绝缘栅双极型晶体管” (Insulated Gate Bipolar Transistor),是一种驱动功率小、饱和压降低的功率半导体,既然是半导体,与我们熟知的芯片一样,目前,我国在该领域仍存在“卡脖子”的现象。
我们都知道,电源设计开发当然算是个技术活儿,也是累活儿,工作繁杂挑战诸多。电源设计工程师根据任务书选择合适的器件和拓扑结构,设计符合功能的原型版,电源设计优化尤其重要。
在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器
国际整流器公司 (InternaTIonal RecTIfier,简称IR) 推出新一代绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用I
波老师那个年代上大学都是自己攒机装电脑,买CPU先问主频多少Hz?后来买手机也是,先看几个核,再看主频......所以估计大家都也差不多,都烙下病根儿了。 可是IGBT是个功率器件,它的开关频率上限并不是一个确定的值。我一般都是这么回答这个问题的: 首先,
富士电机与日本山梨大学的研究小组开发出了小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块,并在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”(2013年5月26~30日在日本石川县金
2012年对于中国新能源汽车市场仍然是调整和规划的一年。整体销量并没有大的突破,但是这并不意味着市场停滞和无所作为。整个产业链从上游到下游都在积极思变,以更加理性务实的态度来精
在汽车电子市场不能不谈到全球顶尖汽车电子芯片厂商——英飞凌,产品线涵盖传感器,微处理器和执行器。英飞凌功率器件全球市场份额连续11年第一。全球每部新车里超过1/2的负
7月5日,海润光伏发布特大合同公告,拟与香港上市公司顺风光电旗下的江西顺风光电投资有限公司(以下简称顺风投资)签订41.9亿元的工程承包协议,占公司去年营业总收入的84%。
摘要:电动汽车电机在低转速大电流过载输出时,驱动器IGBT模块结温会迅速攀升并很容易超出安全工作区从而导致失效。如果在系统设计阶段,利用散热回路的瞬态热阻特性,并通过仿真计算精确控制低速下的
随着IGBT技术的发展,IGBT已经从工业扩展到消费电子应用,成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件;而在中国市场,轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGB
要产生火花,你所需的器件包括电源、电池、变压器(即点火线圈),以及用于控制变压器初级电流的开关。电子学教科书告诉我们V=Ldi/dt。因此,如果线圈初级绕组中的电流发生瞬间变化(即di/dt
SiC应用十几年了,现在这个第三代半导体材料发展现状如何了?21ic中国电子网记者连线了安森美半导体电源方案部产品市场经理王利民,讲述安森美半导体在SiC上的故事。