从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息,用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是,测试结果非常依赖于电路,尤其是寄生发射极电感,以及寄生集电极电感和栅极驱动电路设计和布局。不同的测试电路产生不同的结果。
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压 的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似.也 可分为饱和区 1 、放大区2和击穿特性3部分。在截止 下的IGBT ,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。 无N+缓冲区,则正反向阻断电压 做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平, 限制了IGBT的某些应用范围。
一个等效的 IBGT 模型,其中包括端子之间的电容。输入、输出和反向传输电容是这些电容的组合。数据表中规定了测量电容的测试条件。
这是从芯片结到器件外壳外部的热阻。热量是设备本身功率损失的结果,热阻与基于这种功率损失的芯片的热度有关。之所以称为热阻,是因为使用电气模型根据稳态功率损耗预测温升。
与低功率同类产品不同,MOSFET、IGBT、功率二极管和晶闸管等功率器件会产生大量热量。因此,有效的热管理对于确保电力电子设备的可靠性和优化的寿命性能至关重要,包括由更高工作温度、宽带隙 (WBG) 半导体材料制成的设备。
气候变化和社会对环境问题日益敏感,需要为化石燃料动力车辆开发技术解决方案。逐步减少排放的监管要求要求内燃机的设计具有较小的容积、较高的发动机转速,并且能够以较不浓的燃料混合物运行。
IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP型晶体管,它的简化等效电路如图(b)所示,图中的RN为PNP晶体管基区内的调制电阻。
【2022年5月30日,德国慕尼黑讯】Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管(FWD)、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT(PPI),进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计,是大电流模块化多电平转换器(MMC)、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。
据业内人士爆料称,车用芯片大厂安森美(Onsemi)深圳厂内部人士透露,其车用绝缘栅双极晶体管(IGBT)订单已满且不再接单,2022年-2023年产能已全部售罄,但不排除有部分客户重复下单的可能。
摘要:直流断路器是保障柔性直流输电系统可靠性的重要装备,IGBT作为断路器的关键器件对断路器整机分断能力有着重要影响。现对直流断路器用IGBT的主要工作特征做简要阐述,根据实际工况搭建了测试系统,对器件进行超额定值的大电流关断测试,并对测试结果进行理论分析,这对直流断路器用IGBT的器件参数配置具有良好的指导意义。
如果说IGBT解决了汽车电动化的瓶颈,那MCU就是解决汽车智能化的关键,对汽车智能化发展起着决定性的作用。
虽然 MOSFET/IGBT 栅极驱动器设计用于以短时间高峰值电流驱动高频容性负载,但我们知道它们还可以驱动感性负载,例如功率继电器线圈吗?这就是 MOSFET/IGBT 栅极驱动器的秘密生命。 这不是新概念。当它们驱动感性负载时,它们通常以低得多的频率切换,驱动电流受线圈电阻的限制。栅极驱动 IC 已用于驱动电感负载,例如栅极驱动变压器,但频率范围为数十至数百千赫。
摘要:直流断路器是保障柔性直流输电系统可靠性的重要装备,IGBT作为断路器的关键器件对断路器整机分断能力有着重要影响。现对直流断路器用IGBT的主要工作特征做简要阐述,根据实际工况搭建了测试系统,对器件进行超额定值的大电流关断测试,并对测试结果进行理论分析,这对直流断路器用IGBT的器件参数配置具有良好的指导意义。
安世半导体的IGBT产品流片成功,意味着闻泰科技在车规级半导体行业的发展再进一步,也将进一步带动国内车规级半导体产业的发展。
我们中的许多人都熟悉低功率直流电机,因为我们在日常生活中随处可见它们。我们可能看不到所有更大的交流工业电机在幕后工作,以自动化我们的汽车组装或提升我们每天乘坐的电梯。这些大功率电机由具有不同要求和更高电流的电子设备驱动。在本文的第 1 部分中,我们将讨论用于控制三相交流电机大电流的绝缘栅双极晶体管 (IGBT)的理论和要求。在第 2 部分中,我们将讨论隔离要求和正确计算 IGBT 驱动功率量。
在本系列的第 1 部分中,我们讨论了如何正确选择 IGBT 的控制电压。这一次,我们将了解有关隔离要求以及如何计算正确的IGBT 驱动功率的更多信息。 对于任何工业电机驱动,必须确保输入电路(低压)和输出电路(高压)的电位分离。低压侧与控制电子设备接口,而高压侧连接到 IGBT。隔离是必要的,因为上部 IGBT 的发射极电位在直流母线的 DC+ 和 DC- 电位之间切换,其范围可以在数百或数千伏之间。根据应用,必须遵守相应的电气间隙和爬电距离标准以及符合测试电压。观察到的一些典型标准是:IEC60664-1、IEC60664-3、IEC61800-5-1 和 EN50124-1。
在这篇文章中,小编将对智能功率模块IPM的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度,和小编一起来阅读以下内容吧。
2022年2月15日,中国---意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。
电机和逆变器的使用在工业自动化、机器人、电动汽车、太阳能、白色家电和电动工具等应用中持续增长。伴随着这种增长是对提高效率、降低成本、缩小封装和简化整体设计的需求。虽然使用分立式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 设计定制电机和逆变器功率电子器件以满足特定要求很有诱惑力,但从长远来看,这样做的成本很高,而且会延误设计进度。
缺芯,一直是我国科技产业挥之不去的痛。因为芯片的作用实在太大了,发展至今它已经渗透到我们的方方面面,比如汽车、各种智能家居、电子产品的正常使用,都依赖于一颗小小的芯片。