IGBT

CPLD在IGBT驱动设计中的应用

一款并联谐振逆变电源的设计方案

前言 在现代工业的金属熔炼、弯管，热锻，焊接和表面热处理等行业中，感应加热技术被广泛应用。感应加热是根据电磁感应原理，利用工件中涡流产生的热量对工件进行加热的

从原理到具体电路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用

最经典的IGBT资料大全，技术详解，设计技巧，应用案例

基础理论IGBT系统的介绍 就IGBT的定义、工作原理、等效电路、特性参数、设计技巧等作全面介绍…… 设计技巧IGBT的驱动和过流保护电路的研究IGBT目前被广泛使

IGBT在大功率斩波中问题的应用

斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速

杂散电感对高效IGBT4逆变器设计的影响

IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这

IGBT的驱动和过流保护电路的研究

1 引言绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热

小小一颗IGBT如何撬动电动汽车逆变器？

电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频

经验总结：IGBT奇葩波形 不炸都对不起它

对于很多电源新手来说，在使用示波器测试波形的时候，都遇到过炸管的问题，是什么原因导致炸管？又该如何解决呢？下面就来看看这位仁兄的情况。 　　 　　如图1，黄线为示波器探头直接接在上臂IGBT的驱动Vge两端。

基于2SD106的IGBT驱动电路设计与应用

引言 IGBT驱动电路的关键是驱动保护电路设计，良好的驱动电路必须保证IGBT的开关损耗量尽可能小。在IGBT承受短路电流时，如能实现可靠关断，则可以保护IGBT。 由于大功率的IGBT模块在开通关断时，需要瞬间大电流。本

MOSFET产能大缺 正酝酿下一波涨价

由于MOSFET受工控及车用电子需求提升，国际大厂纷纷转向高阶MOSFET及IGBT相关应用，外商逐渐退出低功率MOSFET市场，包括：意法、英飞凌等国际IDM大厂下半年MOSFET产能早已被预订一空，加上目前8吋晶圆代工产能极缺，形成MOSFET、指纹辨识、电源管理芯片等抢占产能情况。

紧凑型全桥DC-DC隔离电源设计

新型电力电子器件IGBT 作为功率变换器的核心器件，其驱动和保护电路对变换器的可靠运行至关重要。集成驱动是一个具有完整功能的独立驱动板，具有安装方便、驱动高效、保护

用于低功率应用的高能效AC-DC开关稳压器方案

近年来，世界各国政府为了因应全球气候变暖，纷纷制定更严格的高能效法规与标准，提升电源能效，降低能耗，以期减轻对环境的压力。安森美半导体身为全球领先的半导体供应商

隔离型全桥DC-DC电源的设计方案

全桥结构在电路设计当中有着相当广泛的作用。本文介绍了一种基于全桥DC-DC的隔离电源设计。文中提及的半桥IGBT板为两组隔离的正负电压输出，这样做是为了能够成为IGBT的驱动

一种紧凑型全桥DC-DC隔离电源设计方案

全桥结构在电路设计当中有着相当广泛的作用。本文介绍了一种基于全桥DC-DC的隔离电源设计。文中提及的半桥IGBT板为两组隔离的正负电压输出，这样做是为了能够成为IGBT的驱动

英飞凌将在 PCIM Asia 2018 展示面向整个电能供应链的前沿技术和解决方案

英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台，展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外，英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文，并在同期的国际研讨会上进行交流。

超软IGBT续流二极管具备行业领先的低损耗特性

英飞凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出专为现代IGBT应用而设计的新型二极管系列：英飞凌Prime Soft。该二极管具备改进的关断能力，关断速度可达5 kA/μs。Prime Soft以广受好评的基于单硅芯片设计的IGCT续流二极管系列为基础。该二极管的典型应用为使用电压源变换器的HVDC/FACT和中压驱动设备，这些应用的特点是对功率损耗的要求很高。

MOSFET、IGBT下半年恐现缺货潮 涨价不可避免！

茂矽近期已发函通知客户涨价，预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15～20%，高单价客户及高售价产品优先投片，6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求，重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。

检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法

　　1、 判断极性 　　首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用

IGBT的检测方法

　　IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。 　　一、用指针式万用表对场效应管进行判别 　　（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 　　根