IGBT

CISSOID与国芯科技签署战略合作协议 以共同推动宽禁带功率半导体技术的研发及广泛应用

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。

工信部：将推进工业半导体材料、芯片、器件和IGBT模块产业

10月8日，工信部发布“关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号（公交邮电类256号）提案答复的函”。根据答复函，在制定工业半导体芯片发展战略规划、出台扶持技术攻关及产业发展政策方面，工信部及相

超级结MOSFET与IGBT的电动汽车充电方案

转向零排放电动汽车等节能减排趋势推动对中高压MOSFET的需求增加。平面MOSFET的导通电阻Rds(on)和损耗较大。且根据击穿电压与面积成正比，要获得更高的击穿电压需要更大面积的掺杂。

隔离式栅极驱动器的重要特性

在功率电子(例如驱动技术)中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。

在中国的轨道交通与电网中的英飞凌的IGBT

在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。在能源、轨道交通、工业电子与汽车电子中，功率半导体扮演着关键角色，这些领域对于可靠性要求非常高。以轨道交通应用为例，轨道交通会采用IGBT做牵引变流器，这些牵引变流器的性能将决定轨交列车跑得快不快、速度是否均匀、刹车是否可靠，轨道交通的快速发展，对于IGBT技术的发展起到了极大的促进作用。

国产芯片真金质!基本半导体挑战极限高温测试“火”力全开

挑战骄阳火焰山，何须芭蕉借又还。 国产芯片真金质，不惧火炼过楼兰。

将ADuM4135栅极驱动器与Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块配合使用

绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围：直流至100kHz。IGBT可以是单一器件，甚至是半桥器件，如为图1所示设计选择的。

IGBT功率半导体项目投资7.5亿美元，落户嘉善

7月16日，浙江嘉善举行了IGBT功率半导体项目及IGBT技术研发中心签约仪式。IGBT功率半导体项目注册资金2.5亿美元，总投资7.5亿美元，主要从事高端绝缘栅双极型晶体管的自主研发和制造，一期达产

意法半导体推出600V三相智能关断栅极驱动器，提高工业应用性能和安全性

中国，2019年7月17日——意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。

什么是IGBT呢？详细讲解IGBT作用及其选型要求

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT最不为人知的神秘损坏原因！

尤其在使用单相交流电源的电磁炉电路中，千篇一律的采用大同小异的电源电路结构，如图中所示，R1与C1+C2之和的乘积——放电时间常数，远远大于交流电半周期的时间（10毫秒），因此，每个半周期所充的电压都

安森美半导体和格芯合作转让纽约东菲什基尔300mm晶圆厂的所有权

安森美半导体公司(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半导体收购GLOBALFOUNDRIES位于纽约东菲什基尔(East Fishkill, New York)的300 mm晶圆厂达成最终协议。此次收购总代价为4.3亿美元，其中1亿美元已在签署最终协议时支付，其余3.3亿美元将在2022年年底支付，之后，安森美半导体将获得该晶圆厂的全面运营控制权，该厂的员工将转为安森美半导体的员工。此交易的完成取决于监管机构的批准及其它惯例成交

安森美半导体推出基于SiC的两种IGBT门极驱动器

安森美半导体，在德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器隔离型大电流IGBT门极驱动器。

意法半导体650V高频IGBT利用最新高速开关技术提升应用性能

中国，2019年4月30日——意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术，可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合

用超快速IGBT可取代100KHz变换器中的MOSFET

意法半导体的先进IGBT专为软开关优化设计 可提高家电感应加热效率

意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能，提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。

TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器，可显著节约能耗，并为高压系统构筑坚强屏障

新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率

继续快速成长，2019年中国功率半导体市场规模逾人民币2,900亿元

TrendForce预估，2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币，较2018年成长12.17%，维持双位数的成长表现。

开关电源IGBT的可靠性能解析

　　一、IGBT的简单介绍　　绝缘栅双极型晶体管(简称“IGBT”)是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优

基于IGBT的电压型逆变器辅助开关电源的设计

电压型逆变电源的辅助开关电源其双管反激式开关电源能高效地提供多路直流输出，电路元件全部由分立式元件构成，抗干扰能力强，工作稳定可靠，因而能满足电压型逆变器等对电