MOSFET
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不同输入电压，功率MOSFET关断dV/dT为什么不同？
中、高功率的电源电路经常使用有源功率因素校正PFC电路，提高电路的功率因素，减小谐波。PFC的高压功率MOSFET的开通和关断的状态，不但影响系统和效率，而且影响系统的EMI，和EMI相关的一个最重要的参数就是MOSFET开通和关断dV/dt。
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典型开关mos电流波形的精细分析
反激开关MOSFET 源极流出的电流(Is)波形的转折点的分析。
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大联大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
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如何正确测量MOSFET尖峰电压：探头及带宽设置
测量开关电源输出纹波和功率MOSFET的VDS、VGS电压的时候，通常要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号。
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隔离式电源设计需要开发最好的拓扑
自从上世纪 60 年代开关模式电源 (SMPS) 问世以来，出现了几种我认为足以让设计人员为之兴奋的技术，即：磁集成（70年代）、软开关（70 年代）、MOSFET（70 年代）和数字控制（70 年代）。除了数字控制是为了提高电源智能性以外，其它几项技术都是为了从更小的尺寸中获得更多的电源。
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电子元器件持续缺货涨价，MOSFET驱动IC首季涨价
去年引爆的电子零组件缺货、涨价风潮至今不停歇， MOSFET因国际大厂退出，自去年下半年起供给渐趋吃紧，加上受到晶圆代工及EPI硅晶圆产能不足限制，市场供不应求压力持续上扬，报价也自今年首季起真正开始起涨。进入第二季后，在超威、英特尔与NVIDIA推出新平台的推波助澜下，MOSFET供应缺口将更趋严重，MOSFET业者订单可见度达到今年第三季，产品报价也将顺利在第二季调涨，涨幅约在5～10%。
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Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。
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东芝推出新一代600V平面MOSFET系列
东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。
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EPC推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化镓功率晶体管
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶体管，应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)、包络跟踪电源、D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。 EPC2049晶体管的额定电压为40 V、最大导通电阻为5 mΩ及脉冲输出电流为175 A。
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Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0.58mΩ。V
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ST完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术
意法半导体的 PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路，能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。
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Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷，导通电阻还不到0.6mΩ，使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低，可使各种应用提高效率和功率密度。
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缺货缓解待看12寸产能 国产MOSFET持续主导消费类市场
MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度，等国内的12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产，预计2018年6月可正式投产，扩产后的产能可多出一倍，每月达2亿只左右。”陈金松说。
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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电力电子应用中超高速切换
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ)，是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。 该装置针对
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在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处
本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。
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高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处
本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。
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Vishay SQJQ480E汽车级功率MOSFET荣获“Top-10电源产品”奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其Vishay Siliconix SQJQ480E 80 V汽车级TrenchFET®N沟道功率MOSFET被《今日电子》杂志和21IC评为第15届年度“Top-10电源产品”。这款AEC-Q101认证器件以高效汽车应用荣获“绿色节能奖”。这是威世产品连续第八年获此殊荣。
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快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用
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高介电质材料带给芯片新体验
在芯片的大部分历史中，硅一直是其主要组成部分。这在很大程度上是因为硅拥有1.1电子伏特(eV)的“Goldilocks”带隙，这使得硅可以在低电压下运转集成电路，减少电流泄漏。
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功率半导体封测厂主攻MOSFET，有望新突破
时序进入智能手机传统旺季，快充话题持续发酵，大陆四大天王Oppo、Vivo、华为、小米将陆续导入更多快充功能，另一方面，超微(AMD)、英特尔(Intel)、NVIDIA新款服务器平台、显示卡等产品陆续进入市场，金氧半场效电晶体(MOSFET)使用颗数大增，但国际龙头业者功率分离式元件部分因转攻车用、工业用之超接面(Super JuncTIon)、绝缘闸双载子功率场效电晶体(IGBT)等高阶领域，传统PC用MOSFET供需持续紧张，IDM厂外包比例增加，后段封装厂商看好MOSFET供需趋紧将持续到年底没问题，如捷敏、菱生等业者订单能见度基本上看至第3季底无虞，其中，捷敏8月营收可望再挑战单月新高水准。
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