MOSFET

NexFETTM：新一代功率MOSFET

对于理想开关的需求 功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关，例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时，由于切换时

电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择

在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常

利用PowerTrench MOSFET应对更高功率密度的新挑战

引言随着社会经济从纸张型向数字信息管理型方向发展，用于数据处理、存储和网络的数据中心在个人业务、学术和政府体系等众多领域发挥着重要的作用。不过，与此同时，数据中

电源设计小贴士 29：估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升

在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热

MOSFET陷缺货潮，大中或借涨价提升毛利率

法人预期，MOSFET市场在缺货效应加持下，大中可望借由产品涨价提升毛利率，第三季获利相较上季有机会明显提升。

电源设计小贴士28：估算热插拔MOSFET的瞬态温升——第1部分

在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的

IR发布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

导读：全球功率半导体领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）日前发布其近日新增产品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.总所周知，IR不仅是全球功率

讨论在PFC中应用的新型超级结MOSFET器件的特点

超级结（Super-Junction）MOSFET器件基于电荷平衡技术，在减少导通电阻和寄生电容两方面提供了出色的性能，这通常需要折中权衡。有了较小的寄生电容，超级结MOSFET具有极快

隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介

旺季来临、新兴市场爆发，8英寸晶圆产能满载到年底

随着个人电脑及智能手机市场进入旺季，加上先进驾驶辅助系统(ADAS)及自驾车、物联网及工业4.0等新蓝海市场进入成长爆发期，带动面板驱动IC、微控制器(MCU)、电源管理IC(PMIC)、金氧半场效电晶体(MOSFET)等强劲需求，也让台积电、联电、世界先进的8英寸晶圆代工产能满载到年底，且订单能见度更已看到明年上半年。

电源设计小贴士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案

在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们

用电流检测和MOSFET提升输出电流

以前有篇设计实例描述了一种可编程电流源，使用的是美国国家半导体公司的LM317可调三端稳压器（参考文献1）。虽然该电路可以编程设定输出电流，但负载电流要流经BCD（二-十

电源设计小贴士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

在电源设计中，工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体

美高森美发布创新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成，显着提升高压应用的系统效率，并提供最大功效，帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计致力于提供功率、安全、可靠

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击

涨价缺货的野火扩散至CMOS传感器

据台湾媒体报道，涨价缺货的野火如今已扩散到CMOS图像感测元件上，今年电子关键零组件及半导体材料接二连三调涨售价，有钱也拿不到货，前车之鉴，让代理商及客户端一听到缺货就害怕，而这一波CMOS供货吃紧，就是在这样的氛围下酝酿成形，且有迹可寻，早在今年第2季，中国大陆高端镜头马达就已传出供货吃紧情况。

英飞凌积极布局SiC应用市场

因应节能减碳风潮，碳化硅(SiC)因具备更高的开关速度、更低的切换损失等特性，可实现小体积、高功率目标，因而跃居电源设计新星;其应用市场也跟着加速起飞，未来几年将扩展进入更多应用领域，而电源芯片商也加快布局脚步，像是英飞凌(Infineon)便持续扩增旗下CoolSiC MOSFET产品线，瞄准太阳能发电、电动车充电系统和电源供应三大领域。 英飞凌工业电源控制事业处大中华区应用与系统总监马国伟指出，相较于Si功率半导体，SiC装置更为节能;且由于被动元件的体积缩小，因此提供更高的系统密度。除了电动车之外，

微星和华硕主板散热性能大比拼，MOSFET温度相差12度

使用同样是95W处理器的情况下，微星B360M-MORTAR的MOSFET温度为62.62度，ROG STRIX B360-G GAMING的MOSFET温度为74.89度，相差整整12度——这个相差的温度就有点夸张了。

包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型

功率MOSFET驱动器提供了车载照明保护与控制