MOSFET
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浅谈MOSFET驱动电路
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
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浅谈MOSFET驱动电路
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。
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堆叠PowerStack封装电流获得更高功率POL
电压稳压器，特别是集成MOSFET的直流/直流转换器，已从由输入电压、输出电压和电流限定的简易、低功耗电压调节器，发展到现在能够提供更高功率、监控操作环境且能相应地适应
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意法半导体发布两款40V汽车级MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)发布两款40V汽车级MOSFET。新产品采用意法半导体最新的STripFET F7制造技术，开关性能优异，能效出色，噪声辐射极低，耐误导通能力强。新产品最大输出电流达到120A，主要目标应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和安全系统，同时优异的开关特性使其特别适用于电机驱动装置，例如电动助力转向系统(EPS)。
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ROHM开发出符合AEC-Q101标准的超小型MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM面向引擎ECU*1为首的电子化日益普及的各种车载应用，开发出符合AEC-Q101*2标准的超小型MOSFET“AG009DGQ3”。“AG009DGQ3”是实现高可靠性安装、且安装面积可比以往产品减少达64%的产品。
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借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积
近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通
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借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积
近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面积仅为1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1)
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TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积
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Vishay推出用于同步降压的业内首批通过AEC-Q101认证的双片不对称封装12V和20V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，
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步进电机的MOSFET管驱动设计
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向
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东芝推出适用于LED驱动器应用中负载开关的业界领先小尺寸、低导通电阻N沟道MOSFET
东芝公司(TOKYO：6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出小封装尺寸的N沟道MOSFET，该MOSFET适用于LED驱动器应用中的负载开关，包括汽车仪表盘仪表和前照灯以及LED电视背光灯，它们是业界领先的[1]低导通
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MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在安全水平。
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MOSFET和三极管ON状态有什么区别？
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区
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Vishay 推出 650V快速体二极管MOSFET 可提高软开关电压余量
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
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基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流组件，不过
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功率MOSFET在正激式驱动电路中的应用简析
功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器
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MOSFET开关损耗分析
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
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6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门
由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助。当MOSFET作用在电路
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大功率电源MOSMOSFET问题的分析
在现代科技的环境下，传统的电源设计方案已经无法再满足人们的需要。因此功率更为强大的大功率电源开始成为设计者们的新宠。但是在应用过程中大功率电源也遇到了这样或那样
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同步降压 MOSFET 电阻比的正确选择
进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些
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