功率MOSFET是用于便携式设备的所有高功率开关电源中的重要部分。另外,在散热功能最差的笔记本电脑中,功率MOSFET的选择也不是一件容易的事情。本文就如何计算功率MOSFET的
也许,今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。它们的电源电流最近每两年就翻一番。事实上,今天的便携式核电源电流需求会高达40A或更多
计算机原设备制造商(OEM)正面对商业、环保和法规等多方面的压力,需要体现他们产品的能效,提供更“绿色” 的台式个人电脑(PC)和服务器。这使设计这些产品的工程
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员提供一系列能够提升汽车应用功耗、噪声免疫能力和瞬态电压性能的栅极驱动器FAN7080x系列,让工程师开发出在所有操作条
随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指
ISO 16750 或 LV124 等汽车标准规定,汽车电子控制单元 (ECU) 可能面临一个具有高达 6 V p-p(在高达 30 kHz 频率下)AC 纹波之叠加的供电电源。用于控制外部MOSFET的诸如 LT8672 的门极驱动等器件足够强大,能处理高达 100 kHz 的纹波频率,从而最大限度减小了反向电流。图 1 所示为这种 AC 纹波整流的一个例子。
高效率和节能是家电应用中首要的问题。三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设备中以及很多其他应用中。此外,由于采用了电子换向器代替机械换向装
功率半导体产品的意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDm
LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下,负载可以保持运
电源能效对环境的影响问题越来越受到世界范围的关注,致力于自然资源保护的全球各国政府和标准化制定机构已相继推出各项措施,积极推广高能效电源。美国加州能源委员会(CEC
功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池
GreenBridge 提供的热性能、效率和尺寸优势都要优于 POE PD 中使用的二极管高性能半导体解决方案全球领先供应商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天发布了FDMQ8205,这增强了其业
LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下,负载可以保持运
Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司(纳斯达克股票代号POWI)近日发布集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大,适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用,适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管,但是由于二极管正向电压的原因,这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁,但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的,因为电池在充电时必须吸收电流,而在不充电时则须供应电流。
服务器、磁盘阵列和其他高可用性系统几乎无一例外被要求在无需关闭供电系统的情况下更换功能模块。系统工作时更换模块通常被称为热插拔。能够提供热插拔功能的一个关键因素