MOSFET
-
汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E
功率 MOSFET 是众多汽车子系统的重要组成部分，其能够帮助实现各种各样的功能，包括负载切换、电机控制以及DC/DC转换等。SQJQ480E 的意义在于它可以处理与更大功率的MOSFET相同的功能。实际上，其 PowerPAK 8x8L 封装比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而，SQJQ480E 可以同样高效地处理相同的功率转换、开关和电机控制任务，实测器件导通电阻(3毫欧): 也就是在 AEC-Q101车用 MOSFET 中取得迄今为止最低的导通损耗。
-
第八代Core处理器,英特尔“养活了”这些厂商
英特尔正式推出第八代Core处理器Coffee Lake，预计全球有逾145款计算机装置将自9月起上架销售。 超威入门款处理器Ryzen 3及商用Ryzen Pro平台也将在下半年陆续上市。 此外，虚拟货币挖矿、电竞及人工智能运算等需求强劲，超威及辉达(NVIDIA)下半年将推出新一代绘图芯片抢攻市场商机。
-
厉害了！MOSFET 驱动器，可提供100%的占空比
亚德诺半导体 (Analog Devices， Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。
-
安森美先进的同步整流控制器FAN6248提高能效和可靠性并简化设计
在电源设计中，为提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二极管整流器，从而降低整流器两端压降和导通损耗，提供更高的电流能力，实现更高的系统能效。然而，传统的同步整流在用于LLC谐振转换器时，会有不少的技术挑战，如：1) 由于不同工作频率造成最小导通时间设置的困难;2) 由于杂散电感造成过早的同步整流关断，导通损耗增加;3) 轻载条件下由于电容电流尖峰导致同步整流电流反向，最终对系统产生不良影响。安森美半导体最新推出的同步整流控制器FAN6248，优化用于LLC谐振转换器，完美地解决上述挑战，适用于
-
美高森美携手Analog Devices公司 以加快客户设计和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 和全球领先的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。这款双碳化硅MOSFET驱动器参考设计提供用户友好的设计指南，并通过使用美高森美的碳化硅MOSFET缩短客户上市时间，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET过渡。
-
Linear 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达
-
EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化镓功率晶体管
21IC讯 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管，包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额定电压为200 V、最大导通电阻RDS(on)为25 mΩ、脉冲输出电流为55 A。
-
TI推出用于电机控制的业界最小栅极驱动器和功率MOSFET解决方案
设计人员可以将空间有限的电机驱动器的功率密度提高一倍近日，德州仪器 (TI) 推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流
-
ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度
意法半导体推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零
-
Diodes 推出闸极驱动器 简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动
-
Diodes 推出 50V MOSFET 闸极驱动ICs 可满足电池供电 BLDC 马达的驱动需求
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 ICs，专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N 沟道 MOSFET。50V 的额定值可满足各种马达驱动需求，特别是无刷直流 (
-
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可(IDA、SOA曲线)
-
全新高压MOSFET高效支持大小功率应用
英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS 技术产品阵容，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。
-
意法半导体(ST)同级领先的900V MOSFET管 提升反激式转换器的输出功率和能效
意法半导体最新的900V MDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确
-
面向高功率密度应用的集成化MOSFET调压器可减少外围器件数量
英飞凌科技股份公司)今日推出 IR3883，它是一种简单易用的全集成型高效直流-直流调压器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散热管理的高密度负载点应用。该器件非常适合用于网络、电信、服务器和存储解决方案。该调压器搭载稳定性增强引擎，在简化设计的同时，只需要纯陶瓷电容就可以确保稳定性。比较而言，其他解决方案需要额外配备用于保证稳定性和纹波注入的外围器件。因此，IR3883可减少多达5个外围器件，可简化尺寸小于100平方毫米的电路板布局设计。
-
功率MOSFET关断损耗计算攻略
本文介绍了MOSFET管关断损耗的计算方式，供大家参考。
-
Allegro发布第二代汽车级三相隔离器MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems, LLC推出全新的N沟道功率MOSFET驱动器产品，可以通过控制相内(in-phase)隔离MOSFET器件来隔离三相负载。Allegro的A6862电机驱动器IC适用于需要满足
-
Nexperia成为分立器件、逻辑器件与MOSFETs市场新势力
前身为恩智浦 (NXP) 标准产品业务的Nexperia今天宣布，该公司已正式成为一家独立公司。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，在北京建广资产管理有限公司以及Wise Road Capital LTD(简称：智路资本)联合投资下，拥有前恩智浦部门所累积的专业知识、制造资源和主要员工，并致力于开拓产品新重点的承诺，成为独立的世界级分立器件 (Discrete)、逻辑器件(Logic) 和MOSFETs 领导者。
-
MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
引言即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中
-
8中常见电源管理IC芯片介绍
在日常生活中，人们对电子设备的依赖越来越严重，电子技术的更新换代，也同时意味着人们对电源的技术发展寄予厚望，下面就为大家介绍电源管理技术的主要分类。
mxt93r
sunspnet
eagle0
fastar01
lidahai123456
linxi6414
zw60606019
wyaj
whuhustwit
bjstar
lydzzhx
森与海巷
shaoye7031
zhangcw321
j543211
jasom.D
yanhaijian
yuguangkuo
yingjielu86
ppxxjh
