MOSFET
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LTC4366高压浪涌抑制器实例应用讲解（独家）
LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以保持
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Keithley技术文献：半导体C-V测量基础
通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型
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LTC4366浪涌抑制器入门简介
概述：LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以
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飞兆半导体的80 V MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7
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电源设计小贴士46：正确地同步降压FET时序
由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶段：低压侧开关开启和高压侧开关开启。低压侧开启开关至关重要，
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隔离式3.3V转5V转换器的分立设计
隔离式3.3V到5V转换器通常用于远距离数据传输网络，这种网络中总线节点控制器由一个3.3V电源工作以节省电量，而总线电压为5V,以保证在远距离传输过程中的信号完整性并提供
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具高级输入和负载保护功能的10A μModule降压型稳压器
引言 总线电压浪涌不仅对DC/DC转换器构成危险，也对负载带来威胁。传统的过压保护方案采用熔丝，其动作速度和可靠性均未必足以保护诸如FPGA、ASIC和微处理器等负载。一种
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为您的电源选择正确的工作频率——电源设计小贴士
欢迎来到电源设计小贴士！随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调，我们创建了该专栏，就各种电源管理课题提出一些对您有帮助的小技巧。该专栏面向各级设计工程
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IR推出100V集成MOSFET方案
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用的需求。这款新器件符合针
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隔离式栅极驱动器揭秘
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极(相对于器件的源极/发射极而言[QC1] )。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流[QC2] 。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
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凭借对SiC MOSFET的大力推广 世强获Littelfuse最佳市场开发代理商
近日，全球排名第一的电路保护品牌Littelfuse向世强颁发了“最佳市场开发代理商奖”，以表彰其2018年在产品推广与市场开发方面所作出的杰出贡献。
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ADI宣布推出 Power by Linear LTC7840，可驱动两级外部 N 沟道功率 MOSFET
LTC7840 的一种典型应用是利用第一个通道将 12V 输入电压提升到 48V，第二个通道将 48V 升压至240V 并提供高达 700mA 的输出电流，因而使其非常适合汽车、工业和医疗应用。
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IR推出新型DirectFET MOSFET
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用SO-8封装的IRF6648
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一款功率稳压逆变电源的设计与制作
标称功率300W的逆变电源，用于家庭电风扇、电视机，以及日常照明等是不成问题的。300W逆变器，利用12V/60AH蓄电池向上述家用电器供电，一次充满电后，可使用近5小时。不过，
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ROHM株式会社小型大功率封装MOSFET MPT6
半导体制造商ROHM株式会社（总社设在京都市）最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的MPT6 双元件系列产品，这种产品采用独创的小型大功率
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从原理到具体电路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用
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功率稳压逆变电源的设计与应用
目前国内大多数采用的长延时热脱扣试验方案是通过变压器直接对断路器施加一个电压以获得测试电流。在测试过程中，由于电网电压的波动、载流电路中引线电阻变化、负载本身电
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利用理想二极管和热插拔控制器隔离电源故障
用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如，μTCA网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“
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MOSFET安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或
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安森美半导体应用于汽车自动空调的电源、电机驱动及分立元件等方案
在当今的汽车设计中，空调已是标准的舒适性配置。从功能上讲，当今的汽车空调实际上是将加热、制冷及通风等功能一体化，成为汽车加热、通风空调(HVAC)系统(本文将简称为&ld
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