MOSFET
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装
21ic讯 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的
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开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析
开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能
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D系列MOSFET采用高压条带技术
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。今天发布的D系列MOSFET基
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装并开始量产
21IC讯 日本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应
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巧用示波器的计算功能分析热插拔电路
尽管数字示波器是电路实验室中最常见的仪器，但有些功能可能并不为人所熟知，数字示波器的计算功能就是其中之一。其实利用数字示波器的计算功能可以简化对热插拔和负载切换电路的分析。本篇应用笔记将介绍如何利用示
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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MOSFET双芯片功率封装简化电源设计
目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着功能的日益增多，商用电子产品的尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸的封装内采用
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MOSFET双芯片功率封装简化电源设计
目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着功能的日益增多，商用电子产品的尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸的封装内采用
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高效高可靠LED灯具设计的五个忠告
2011年，澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯，这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕，另外，随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯，LED灯具的照明普及率会进一步提升，这让掘金绿色照明革命的中国数
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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高效高可靠LED灯具设计的五个忠告
2011年，澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯，这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕，另外，随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯，LED灯具的照明普及率会进一步提升，这让掘金绿色照明革命的中国数
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高效高可靠LED灯具设计的五个忠告
2011年，澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯，这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕，另外，随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯，LED灯具的照明普及率会进一步提升，这让掘金绿色照明革命的中国数
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高效高可靠LED灯具设计的五个忠告
2011年，澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯，这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕，另外，随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯，LED灯具的照明普及率会进一步提升，这让掘金绿色照明革命的中国数
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
0 引言近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流
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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管
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